Состоялся официальный анонс Z-SSD Samsung на памяти Z-NAND. Цены на SSD продолжат снижение

Компания Samsung представила обновление своей линейки быстрых потребительских накопителей 970 Evo, добавив к имени слово Plus.

Накопители 970 Evo Plus основаны на том же контроллере от Phoenix, но с новой 96-слойной TLC V- NAND памятью от Samsung. Прошлое поколение 970 Evo содержит 64-слойную память.

Новые SSD получили новую прошивку контроллера. Также имеется технология TurboWrite, которая повышает скорость записи на 53%. В результате 970 Evo Plus обеспечивает скорость последовательного чтения в 3500 МБ/с и записи в 3300 МБ/с. При случайном доступе блоками 4K скорость чтения достигает 620k операций, а при записи - 560k операций ввода-вывода в секунду. Надёжность накопителей остаётся неизменной.

Устройство хранения выпускается в том же формате M.2 2280 с подключением по интерфейсу PCIe 3.0x4 с NVMe 1.3. Цена на 970 Evo Plus составит 100 долларов за 250 ГБ модель, 175 долларов за 500 ГБ, 330 долларов за 1 ТБ и 680 долларов за версию объёмом 2 ТБ. Не дёшево, но дешевле, чем первоначально стоил ряд 970 Evo. В продаже новые накопители появятся в марте.

Samsung выпускает портативный NVMe SSD

3 сентября 2018 года

Компания Samsung переопределила понимание портативных накопителей, создав съёмный твердотельный накопитель с подключением по порту Thunderbolt 3.

Накопитель SSD X5 является новичком в парке накопителей компании. Он представляет собой NVMe SSD , работающий на скорости 2800 МБ/с при чтении, и 2300 МБ/с при записи, что сильно превышает возможности USB 2.0. С ним может справиться только интерфейс Thunderbolt 3, обеспечивающий 40 ГБ/с. Конечно, хватило бы и USB 3.1, но в Samsung решили использовать именно этот стандарт.

Эти числа означают, что 4K UHD фильм объёмом 20 ГБ может быть переписан на съёмный накопитель за 12 секунд.

Накопитель весьма комфортен в руках. Он заметно меньше традиционного 2,5” устройства, да и выглядит привлекательно. В общем, он наверняка понравится владельцам компьютеров Apple.

Хотя Thunderbolt 3 и звучит «по-маковски», данный интерфейс используется и в некоторых других производительных ноутбуках, например, в Eve V и Huawei MateBook X Pro.

В общем, накопитель хорош. Но за скорость надо платить. За терабайтную версию SSD X5 компания Samsung просит 700 долларов, а за топовую версию объёмом 2 ТБ - вдвое больше, 1400 долларов США. Это не случайная покупка, но редакторы видеоматериалов могут быть в ней заинтересованы.

Samsung анонсирует потребительские SSD на базе памяти QLC

9 августа 2018 года

Южнокорейский гигант Samsung представил первый в мире твердотельный накопитель на базе 4-битной памяти V- NAND , предназначенный для потребительского рынка.

В новом SSD применяются фирменные чипы V- NAND объёмом 1 Тб, а сами накопители предлагаются в объёме 1 ТБ, 2 ТБ и 4 ТБ. В фирме ничего не сообщили о модельном ряде новых SSD , но вряд ли это будет серия 860 EVO. Производительность обещается на уровне накопителей с 3 битами на ячейку. Наверняка она будет достигнута за счёт технологии TurboWrite, которая предусматривает наличие буфера памяти SLC, с которым и производится большинство пользовательских операций.

«4-битные SATA SSD Samsung возглавят массовый переход к терабайтным SSD для потребителей », - заявил Джесу Хан, исполнительный вице-президент по продажам памяти и маркетингу Samsung Electronics. «Когда мы расширим нашу линейку на весь потребительский и промышленный сегменты, 4-битные терабайтные SSD быстро распространятся по всему рынку» .

В пресс релизе также сообщили об ожидаемых скоростях работы накопителей. При последовательных операциях чтения и записи они составят 540 МБ/с и 520 МБ/с соответственно, что близко к любым современным SATA устройствам.

Гарантия на новые QLC SSD составит 3 года, как и на серию 860 EVO.

Цены на SSD продолжат снижение

24 июля 2018 года

Долгие годы обновление оперативной памяти было хорошим апгрейдом, позволяющим увеличить скорость работы с минимальными затратами. Но на фоне роста цен на память в два раза за 18 месяцев, эта роль переходит к SSD .

Пока твердотельные накопители не слишком дёшевы, но они становятся основным способом увеличения производительности с минимальными затратами. И на горизонте появились хорошие новости от Samsung.

Южнокорейский гигант является одним из крупнейших современных производителей твердотельных накопителей. И он не останавливается на достигнутом, планируя расширение. Компания анонсировала вложение 2,6 миллиарда долларов в разработку SSD . Эта инвестиция предусматривает увеличение объёмов выпуска памяти NAND , на которые наблюдается некоторый дефицит из-за популярности твердотельных устройств хранения данных.

Благодаря инвестиции будет значительно увеличено производство микросхем флэш-памяти, что позволит снизить цены на SSD в ближайшие годы.

Samsung выпускает 8 ТБ NVMe SSD формата NF1

25 июня 2018 года

Компания Samsung анонсировала выпуск новых твердотельных накопителей NVMe формата Next-generation Small Form Factor (NGSFF), которые стали самыми ёмкими в промышленности. Их объём равен 8 ТБ.

Новые 8 ТБ NVMe NF1 SSD были оптимизированы для приложений с высокой интенсивностью обмена данными и промышленных серверов. Накопители построены на 16 NAND пакетах объёмом 512 ГБ от Samsung. Каждый из них представлен стеком из 16 слоёв объёмом по 256 Гб 3-х битной памяти V- NAND . В результате объём накопителя составляет 8 ТБ при габаритах 11х3,05 см. Это вдвое больший объём, чем предлагают обычные M.2 SSD размером 11х2,2 см, созданные для сверхтонких ноутбуков.

Новый формат должен быстро заменить 2,5” накопители благодаря втрое большей плотности, позволяя использовать беспрецедентные 576 ТБ в последних серверах 2U.

Кроме новой памяти накопители также получили и новый высокопроизводительный контроллер с поддержкой протокола NVMe 1.3 и интерфейса PCIe 4.0. Всё вместе это обеспечивает скорость последовательного чтения на уровне 3100 МБ/с и запись со скоростью 2000 МБ/с, что впятеро быстрее типичного SATA SSD . Скорости случайного чтения и записи могут достигать 500K и 50K операций в секунду соответственно.

Для гарантирования длительной сохранности данных накопитель был создан с уровнем надёжности в 1,3 перезаписи в день за свой гарантийный трёхлетний период.

Samsung выпустила SSD объёмом 30 ТБ

22 февраля 2018 года

Почти два года назад компания Samsung выпустила твердотельный накопитель объёмом 15,36 ТБ, который до сих пор является одним из лидеров по объёму.

Однако теперь южнокорейский гигант решил закрепить своё лидерство, представив 2,5” SSD объёмом 30,72 ТБ.

Новый накопитель PM1643 построен на вертикальных 3D NAND чипах объёмом по 512 Гб. Не так давно фирма анонсировала терабитные чипы, но пока эта технология не готова к массовому внедрению, а потому в Samsung использовали хорошо откатанную микросхему ёмкостью 512 Гб.

Представленный накопитель обеспечивает скорость чтения до 2100 МБ/с, а записи — до 1700 МБ/с. Модель доступна в нескольких вариантах объёма. Так, кроме 30,72 ТБ версии выпущены варианты ёмкостью 15,36 ТБ, 7,68 ТБ, 3,84 ТБ, 1,92 ТБ, 960 ГБ и 800 ГБ.

Будем надеяться, что внедрение новых накопителей повлечёт создание более ёмких и дешёвых устройств хранения данных для компьютеров и мобильных устройств.

Samsung представила SSD 860 Pro объёмом 4 ТБ

19 января 2018 года

Компания Samsung на своём официальном сайте представила твердотельные накопители модели 860 PRO, максимальный объём которых составляет 4 ТБ.

Твердотельный накопитель 860 PRO объёмом 4 ТБ с интерфейсом SATA3 и шириной 2,5” предлагает скорость чтения и записи на уровне 560 МБ/с и 530 МБ/с при последовательном доступе. К сожалению, это пока единственная доступная о его производительности информация.

Стоит отметить, что 4 ТБ — это внушительный объём. Анонс таких продуктов означает, что Samsung готова массово производить MLC чипы NAND в 64-слойном вертикальном стеке. Что касается модельного ряда, то можно допустить, что будут представлены модели ёмкостью 250 ГБ, 500 ГБ, 1 ТБ и 2 ТБ. В прайсе значится модель ёмкостью 4 ТБ по цене 1900 долларов США, то есть по 47 центов за гигабайт.

Samsung готовит микросхемы GDDR6 и SSD с рекордными характеристиками

15 ноября 2017 года

Готовясь к выставке CES, которая состоится в январе 2018 года, компания Samsung подготовила 36 новинок, две из которых будут интересны энтузиастам ПК.

Первая касается новой высокоскоростной памяти GDDR6, которая обладает большей скоростью работы при меньшем энергопотреблении, чем нынешняя память для графики. Новая память GDDR6 от Samsung обладает пропускной способностью 16 Гб/с, что означает скорость ввода-вывода в 64 ГБ/с. Память работает на напряжении 1,35 В.

Второй позицией на CES станут новые SSD NGSFF (next-gen form factor) объёмом 8 ТБ. Используя этот новый форм фактор, Samsung сможет резко увеличить производительность серверов формата 1U. Накопитель сможет обеспечить скорость ввода-вывода на уровне 0,5 ПБ/с. Также, при размере 30х11х4,4 мм, новый SSD занимает меньше места.

Скорее всего, никаких деталей о новых продуктах мы не узнаем до января, когда и состоится их официальная презентация.

Samsung готовит Z-SSD

31 марта 2017 года

Несмотря на то, что NAND память не так давно присутствует на рынке накопителей для PC, многие компании ищут ей замену. Одним из таких решений стала память Intel/Micron 3D XPoint, но не единственным.

Компания Samsung ранее представила память Z- NAND , и теперь готовится выпустить первый накопитель на её основе.

Совмещая возможности NAND и DRAM, память Z- NAND по-прежнему остаётся памятью NAND , со всеми её недостатками. Информации об этом типе памяти не много, однако, разработчик уже сообщил некоторые технические характеристики SSD на её основе.

Будущий Z- SSD от Samsung получит объём 800 ГБ и будет представлен в виде PCIe 3.0 платы половинной высоты. Накопитель будет использовать стандартные 4 линии шины. Скорость последовательного чтения и записи составит до 3200 ГБ/с, что на треть выше, чем у Intel Optane DC P4800X. Скорость случайного чтения блоками по 4 кБ составит 750 000 IOPS при чтении и 160 000 IOPS при записи. При этом чтение оказалось быстрее, чем у Optane, но запись — заметно медленнее. Стоит отметить, что части этого прироста в скорости удалось добиться за счёт нового контроллера. К сожалению, о надёжности накопителя Samsung ничего не известно, так что нельзя сделать полноценное сравнение устройств на памяти 3D XPoint и Z- NAND .

О доступности и цене также пока ничего не известно, но некоторые заказчики уже получили пробные образцы накопителей.

Samsung выпустит 4 ТБ SSD 850 Pro

20 декабря 2016 года

Несмотря на то, что Samsung выпустила 4 ТБ твердотельный накопитель 850 EVO в июле этого года, компания уже готовит обновлённую 4 ТБ версию 850 PRO, которая будет анонсирована на выставке CES 2017.

Как известно, 850 EVO SSD имеет цену в 1500 долларов, а во сколько обойдётся флагманский 2,5” SATA 850 Pro SSD мы узнаем уже в январе.

Таким образом, компания выпустит первый MLC накопитель (2 бита на ячейку) объёмом 4 ТБ, что обеспечит высокую производительность и большую надёжность.

К сожалению, компания ничего не сообщила о деталях готовящегося SSD 850 Pro, но стоит ожидать, что спецификации устройства не будут уступать 2TB версии, которая основана на контроллере MEX со скоростью последовательного чтения 550 МБ/с и записи 520 МБ/с. Скорость проведения случайных операций блоками по 4K составляет 100 000 IOPS при чтении и 90 000 IOPS при записи.

Samsung готовит Z-SSD в формфакторе M.2

На недавно прошедшей конференции OCP Summit, как подсказывают наши коллеги с сайта AnandTech, компания Samsung показала интересный твердотельный накопитель модификации Z-SSD в формфакторе M.2. Ранее в этом году Samsung приступила к поставкам 800-ГБ модели Z-SSD SZ985 с интерфейсом PCIe и пообещала выпустить также 240-ГБ версию накопителя. Считается, что накопители Z-SSD используют в своей основе однобитную SLC-ячейку в виде многослойной конструкции 3D NAND. Тем самым появилась возможность повысить устойчивость SSD к износу и скорость доступа к массиву памяти, хотя в жертву пришлось принести плотность записи и стоимость.

О разработке Z-SSD в формфакторе M.2 стало известно впервые. Использование данного формфактора открывает перед Z-SSD двери в компактные и мобильные рабочие станции. Ограничением станет только стоимость подобных решений, которая обещает оказаться достаточно высокой, ведь для Z-SSD придётся использовать вдвое больше микросхем памяти, чем в случае SSD на 3D NAND MLC.

По словам Samsung, компания готовит модели SZ985 M.2 ёмкостью 240 и 480 ГБ. В основе решения лежит контроллер Samsung Phoenix. Заявленная скорость устоявшегося чтения новинок достигнет 3,2 ГБ/с, а устоявшаяся скорость записи приближается к 2,8 ГБ/с. Устойчивость к износу впечатляет - в течение пятилетнего срока гарантии накопители SZ985 можно переписывать до 30 раз в сутки. Остаётся напомнить, что модели Samsung Z-SSD также характеризуются минимальными в отрасли задержками - менее 16 мкс, хотя по этому параметру уступают SSD на памяти Intel 3D XPoint, у которых задержки менее 10 мкс.

Продажа Toshiba Memory откладывается до апреля или на более поздний срок

Эпопея с продажей полупроводникового подразделения компании Toshiba - Toshiba Memory - всё никак не закончится. Сегодня японский производитель выпустил пресс-релиз, в котором сообщил о переносе завершения сделки по продаже Toshiba Memory консорциуму во главе с частной инвестиционной компанией Bain Capital на апрель или на более поздний срок. Всему виной, как следует из официального документа, некий регулятор, который пока не дал разрешение на продажу бизнеса.

По сообщению информированных источников, разрешение на продажу Toshiba Memory не дал Китай. Более того, в свете назревающей торговой войны между США и Китаем (Президент Дональд Трамп грозится ввести на товары из Китая 25-% заградительные пошлины) сделка по продаже Toshiba Memory может пасть жертвой политико-экономических интриг.

В то же время Toshiba сумела в декабре привлечь инвестиции в объёме 600 млрд иен ($5,7 млрд) и больше не боится вылететь с Токийской биржи ценных бумаг. Благодаря подписанному в сентябре договору о продаже Toshiba Memory компания сумела реструктуризировать долги и вопрос продажи подразделения для неё уже не является вопросом жизни или смерти.

Твердотельные накопители Z-SSD на памяти Z-NAND. Память Z-NAND, насколько сообщалось раньше, это многослойная NAND или 3D NAND (Samsung называет её V-NAND) с записью одного бита в каждую ячейку. Казалось, что память NAND SLC ушла в прошлое, поскольку она обладает низкой плотностью записи. Её себестоимость слишком высока, чтобы сделать SSD на её основе популярным решением даже в корпоративном сегменте. Поэтому массовой памятью стала NAND с ячейкой MLC и TLC (два и три бита в ячейке), как и готовится выйти на массовый рынок SSD память 3D NAND QLC с четырьмя битами в ячейке.

И вот, Samsung вспомнила о памяти SLC и адаптировала её для производства в многослойном исполнении. Так выходит дешевле и в ряде случаев оправдано. Например, там, где требуется высочайшая производительность в реальном режиме времени. Добавим, с самого начала Samsung позиционировала память Z-NAND в качестве альтернативы памяти Intel 3D XPoint и накопителей Intel Optane. Последняя характеризуется самыми маленькими в отрасли задержками - менее 10 мкс - и использует иной принцип записи данных в ячейку. Кстати, в этом году Samsung переведёт память Z-NAND на двухбитовую ячейку. Интересно, чем она тогда будет отличаться от обычной 3D NAND MLC?

Но вернёмся к сегодняшнему анонсу. Компания шла к нему полтора года. Память Z-NAND была представлена в августе 2016 года. В апреле 2017 года Samsung показала опытные образцы Z-SSD в виде 800-Гбайт модели SZ985. Однако на этом всё остановилось. Массовое производство новинки было перенесено на 2018 год. Это произошло только теперь, но и то с натяжкой. Раскрыть все подробности работы накопителей Z-SSD компания обещает на ежегодной конференции ISSCC 2018, которая пройдёт в Сан-Франциско с 11 по 15 февраля. В общем-то, через десять дней.

Пока Samsung докладывает, что в показателях IOPS для случайных 4-Кбайт блоков скорость операций ввода/вывода в секунду для чтения достигает 750 тыс., а для записи - 170 тыс. Накопители Intel Optane DC P4800X 375 Гбайт во время чтения развивают 550 тыс. IOPS, а во время записи - 500 тыс. IOPS. Задержки во время записи у накопителей Samsung SZ985 равны 16 мкс, а у Intel Optane DC P4800X - менее 10 мкс. Действительно, по этому параметру с памятью 3D XPoint никто не может сравниться.

Зато по устойчивости к записи накопители Samsung SZ985 в представленной 800-Гбайт версии значительно опережают 375-Гбайт Intel Optane DC P4800X. Каждый из них гарантирует 30 полных перезаписей объёма в сутки, но SZ985 может делать это в течение 5 лет, а Intel Optane DC P4800X - только в течение 3 лет. Во всяком случае, это ограничение гарантии каждой из компаний. Следует сказать, что секрет высокой устойчивости Samsung SZ985 может ещё быть в том, что на борту накопителя, как сообщалось ранее, 1 Тбайт памяти Z-NAND, тогда как пользователю доступны только 800 Гбайт из этого массива, а остальное представляет собой резерв.

О последовательных скоростях чтения и записи Samsung в пресс-релизе не упоминает. Ранее сообщалось, что опытные экземпляры Samsung SZ985 развивают одинаковую скорость в обоих устоявшихся режимах и она достигает 3,2 Гбайт/с. Накопители Intel Optane DC P4800X, напомним, характеризуются устоявшейся скорости записи на уровне 2 Гбайт/с, а скоростью чтения - 2,4 Гбайт/с. В качестве буфера оперативной памяти SZ985 Samsung несёт 1,5 Гбайт LPDDR4. Контроллер SSD собственной разработки Samsung. На конференции ISSCC 2018 компания также покажет или представит 240-Гбайт модель Z-SSD.

Решил под народный Skylake инженерник подобрать достойный SSD. В наше непростое время SSD давно уперлись в SATA3, выход один - PCI Express, благо в любой мамке на Z170 есть M.2, а уж его 4-х линий хватит всем.

Выбор NVMe

Вышесказанное надо пояснить. M.2 - это просто формфактор. Подключаемые SSD могут работать как по старому протоколу SATA3 (850 EVO M.2), так и по NVMe. Итак, NVMe - это новых протокол обмена данных для SSD для получения низких задержек и высокого параллелизма IO. Скорость также зависит от количества PCIe линий, подведенных к M.2 слоту на мамке. Короче, нюансов много. У меня AsRock Z170 Gaming K4, у нее к M.2 подведены 4 PCIe3 линии. Осталось найти быстрый NVMe SSD в форм-факторе M.2.

К сожалению, оффлайн быстро разбил мои мечты о доступном сверхзвуковом хранилище. Некоторое время приглядывался к Samsung PM951/SM951 - OEM аналоги Samsung 950 M.2 Evo/Pro. OEM предназначены для лэптопов, но ушлые китайцы их как-то достают и барыжат. Ну и ок, задумался. Пока думал, вышло новое поколение PM961/SM961 - соответственно OEM аналоги Samsung 960 M.2 Evo/Pro. Выбор пал на PM961 из-за разницы в цене, нашелся такой на просторах ebay. Покупал у продавца по ссылке выше, т.к. он единственный согласился занизить стоимость, что актуально для РБ. Просил $15, написал вообще $10.

Сам модуль:

Фото в интерьере позволяет оценить размеры 2280:

В двух словах о модуле: констроллер Samsung Polaris, память Samsung TLC V-NAND.

Тесты консольными утилитами:
xubuntu@i7:~$ sudo hdparm -tT --direct /dev/nvme0n1 /dev/nvme0n1: Timing O_DIRECT cached reads: 1686 MB in 2.00 seconds = 842.36 MB/sec Timing O_DIRECT disk reads: 3760 MB in 3.00 seconds = 1253.18 MB/sec

Xubuntu@i7:~$ sysbench --test=fileio --file-total-size=1G prepare xubuntu@i7:~$ sysbench --test=fileio --file-total-size=1G --file-test-mode=rndrw --max-time=300 --max-requests=0 --num-threads=64 run sysbench 0.4.12: multi-threaded system evaluation benchmark Running the test with following options: Number of threads: 64 Extra file open flags: 0 128 files, 8Mb each 1Gb total file size Block size 16Kb Number of random requests for random IO: 0 Read/Write ratio for combined random IO test: 1.50 Periodic FSYNC enabled, calling fsync() each 100 requests. Calling fsync() at the end of test, Enabled. Using synchronous I/O mode Doing random r/w test Threads started! Time limit exceeded, exiting... (last message repeated 63 times) Done. Operations performed: 439416 Read, 292944 Write, 893813 Other = 1626173 Total Read 6.705Gb Written 4.47Gb Total transferred 11.175Gb (38.142Mb/sec) 2441.11 Requests/sec executed Test execution summary: total time: 300.0111s total number of events: 732360 total time taken by event execution: 59.1198 per-request statistics: min: 0.00ms avg: 0.08ms max: 25.21ms approx. 95 percentile: 0.07ms Threads fairness: events (avg/stddev): 11443.1250/576.03 execution time (avg/stddev): 0.9237/0.05

Для сравнения результаты Crucial M500 240GB на лаптопе

Xubuntu@Z510:~$ sudo hdparm -tT --direct /dev/sda /dev/sda: Timing O_DIRECT cached reads: 948 MB in 2.00 seconds = 473.46 MB/sec Timing O_DIRECT disk reads: 1340 MB in 3.01 seconds = 445.92 MB/sec

Xubuntu@Z510:~$ sysbench --test=fileio --file-total-size=1G prepare xubuntu@Z510:~$ sysbench --test=fileio --file-total-size=1G --file-test-mode=rndrw --max-time=300 --max-requests=0 --num-threads=64 run sysbench 0.4.12: multi-threaded system evaluation benchmark Running the test with following options: Number of threads: 64 Extra file open flags: 0 128 files, 8Mb each 1Gb total file size Block size 16Kb Number of random requests for random IO: 0 Read/Write ratio for combined random IO test: 1.50 Periodic FSYNC enabled, calling fsync() each 100 requests. Calling fsync() at the end of test, Enabled. Using synchronous I/O mode Doing random r/w test Threads started! Time limit exceeded, exiting... (last message repeated 63 times) Done. Operations performed: 164129 Read, 109429 Write, 348226 Other = 621784 Total Read 2.5044Gb Written 1.6698Gb Total transferred 4.1742Gb (14.246Mb/sec) 911.72 Requests/sec executed Test execution summary: total time: 300.0448s total number of events: 273558 total time taken by event execution: 102.8672 per-request statistics: min: 0.00ms avg: 0.38ms max: 148.38ms approx. 95 percentile: 0.12ms Threads fairness: events (avg/stddev): 4274.3438/250.28 execution time (avg/stddev): 1.6073/0.20

Выводы

Этот NVMe SSD действительно в несколько раз быстрее SATAшных (не все NVMe одинаково полезны), к сожалению в реальной жизни не все заметят разницу. ОС будет запускаться на секунду быстрее, браузер - на полсекунды и т.д. Игры, по жалобам в интернетах, вообще плохо утилизируют IO.
Также примем во внимание, PM961 почти в полтора раза дороже классического 850 EVO в оффлайне, и нет гарантии. При отсутствии M.2 на мамке нужно докупать PCI-E переходник, в комплекте с PM961 ничего нет, привет OEM.

Мне кажется, удел NVMe сейчас - серверы и рабочие станции. Ну и гики конечно, но им смотреть строго в сторону SM961 / 960 Pro. Лично я разницу почувствовал в рабочих проектах (преимущественно с БД), но даже там потенциал не раскрыт - ~25% прироста в IO (тут уж верьте на слово, детали не опишу - NDA).

Всем добра и быстрого IO!

Планирую купить +21 Добавить в избранное Обзор понравился +40 +76

Корпорация Samsung продемонстрировала твердотельный накопитель SZ985 на базе памяти Z-NAND в форм-факторе M.2. Данный SSD может быть использован как при построении серверов с плотным размещением накопителей данных, так и для настольных компьютеров - рабочих станций и ПК для энтузиастов.

Память Z-NAND и накопители Z-SSD были представлены Samsung как ответ на разработку памяти типа 3D XPoint (Optane, QuantX) компаниями Intel и Micron. Как и 3D XPoint, Z-NAND характеризуется очень высокой износоустойчивостью и производительностью, однако в отличие от конкурентов, Samsung не раскрывает каких-либо подробностей об архитектуре Z-NAND. Поскольку Z-SSD предназначены в первую очередь для центров обработки данных (ЦОД), то накопители SZ985 всегда демонстрируются (и, надо полагать, поставляются) в форм-факторе карт HHHL с интерфейсом PCI Express. При этом Samsung никогда не показывала компонентов данных карт «живьём», ограничиваясь демонстраций компьютерных моделей данных SSD. Таким образом, SZ985 в форм-факторе M.2 позволяет взглянуть как на контроллер Z-SSD, так и на упаковки памяти Z-NAND.

Показанный на выставке OCP Summit на прошлой неделе накопитель Samsung SZ985 M.2 базируется на известном контроллере Samsung Phoenix, который используется для устройств PM981 и PM983 (вторые пока не присутствуют на рынке). Стоит отметить, что продемонстрированный накопитель маркирован как SZ983, однако принимая во внимание, что маркировки на образцах далеко не всегда корректны, трудно делать какие-либо выводы из них. Согласно Samsung, SZ985 M.2 экипируется 240 или 480 Гбайт доступной пользователю Z-NAND флеш-памяти, что весьма немного по меркам ЦОД. Что касается производительности, то Samsung заявляет, что устоявшаяся скорость чтения SZ985 M.2 составляет 3200 Мбайт/с, а записи - 2800 Мбайт/с. Накопитель способен выдерживать до 30 перезаписей в сутки; при пятилетней гарантии это означает, что 480-Гбайт версия способна записать до 262,8 петабайт данных, что является очень высоким показателем.

Согласно маркировке образца SSD с выставки, он несёт на борту 240 Гбайт Z-NAND, размещённой в четырёх корпусах на передней стороне модуля (таким образом, версия ёмкостью 480 Гбайт будет использовать память на двух сторонах). Для сравнения, 512-Гбайт версия PM981 использует два корпуса с микросхемами V-NAND памяти. Таким образом, очевидно, что плотность записи Z-NAND радикально ниже таковой у V-NAND (3D NAND в классификации Samsung), а о том, что Z-NAND представляет собой разновидность SLC (правда, выполненной по новой технологии), или же MLC с большим количеством плейнов, могут иметь под собой основания. Принимая во внимание, что Z-SSD базируется на контроллере для мощных потребительских SSD, трудно ожидать, что сама память является чем-то экзотическим.

Принимая во внимание низкую плотность записи памяти Z-NAND, а также её высокие характеристики износоустойчивости и производительности, есть все основания полагать, что Samsung SZ985 будут отличаться высокой себестоимостью и ценами. Практическое применение подобных накопителей будет оправдано в машинах, которым требуется высочайшая производительность и износоустойчивость. Это могут быть как серверы, так и рабочие станции, в которых SZ985 будут размещаться на PCI Express x16 адаптерах вроде . Что касается продаж Z-SSD энтузиастам, то маловероятно, что Samsung пойдёт по пути Intel Optane 800P, предлагая накопители низкого объёма, но с высокой производительностью и избыточной для данного рынка износоустойчивостью.