Статическая оперативная память используется в качестве. Оперативные запоминающие устройства. Принципы работы динамической памяти

Статическая и динамическая оперативная память

Глава 7. Запоминающие устройства ПК

После изучения главы вы должны знать:

запоминающие устройства трех уровней внутренней памяти ПК: микропроцессорную, основную и буферную кэш-память, их назначение, основные характеристики;

физическую и логическую структуру основной памяти, ее модули:SIPP,SIMM, DIMM и типы: DRAM, SDRAM, DRDRAM, DDRDRAM;

методы адресации ячеек основной памяти;

принципы организации виртуальной памяти;

назначение кэш-памяти разных уровней.

Персональные компьютеры имеют три основных уровня памяти:

l микропроцессорная память (МПП);

l основная память(ОП);

l внешняя память (ВЗУ).

К этим уровням добавляется промежуточная буферная или кэш-память. Кроме этого многие устройства ПК имеют собственную локальную память.

Две важнейших характеристики (емкость памяти и ее быстродействие) трех основных типов памяти приведены в табл. 9.1.

Таблица 9.1. Сравнительные характеристики запоминающих устройств

Быстродействие первых двух типов запоминающих устройств измеряется временем обращения (t обр) к ним, а быстродействие внешних запоминающих устройств - двумя параметрами: временем доступа (t дост) и скоростью считывания (V счит):

l t обр - сумма времени поиска, считывания и записи информации (в литературе это время часто называют временем доступа, что не совсем строго);

l t дост - время поиска информации на носителе;

l V счит - скорость последовательного считывания смежных байтов информации.

Напомним общепринятые сокращения: с - секунда, мс - миллисекунда, мкс - микросекунда, нс - наносекунда; 1с = 10 6 мс = 10 6 мкс = 10 9 нс.

Статическая и динамическая оперативная память

Оперативная память может формироваться из микросхем динамического (Dynamic Random Access Memory - DRAM) или статического (Static Random Access Memory - SRAM) типа.

Память статического типа обладает существенно более высоким быстродействием, но значительно дороже DRAM. В статической памяти элементы (ячейки) построены на различных вариантах триггеров - схем с двумя устойчивыми состояниями. После записи бита в такую ячейку она может пребывать в этом состоянии столь угодно долго - необходимо только наличие питания. При обращении к микросхеме статической памяти на нее подается полный адрес, который при помощи внутреннего дешифратора преобразуется в сигналы выборки конкретных ячеек. Ячейки SRAM имеют малое время срабатывания (единицы наносекунд), однако микросхемы на их основе отличаются низкой удельной емкостью (единицы Мбит на корпус) и высоким энергопотреблением. Поэтому статическая память используется в основном в качестве микропроцессорной и буферной (кэш-память).

В динамической памяти ячейки построены на основе полупроводниковых областей с накоплением зарядов - своеобразных конденсаторов, - занимающих гораздо меньшую площадь, нежели триггеры, и практически не потребляющих энергии при хранении. Конденсаторы расположены на пересечении вертикальных и горизонтальных шин матрицы; запись и считывание информации осуществляется подачей электрических импульсов по тем шинам матрицы, которые соединены с элементами, принадлежащими выбранной ячейке памяти. При обращении к микросхеме на ее входы вначале подается адрес строки матрицы, сопровождаемый сигналом RAS (Row Address Strobe - строб адреса строки), затем, через некоторое время - адрес столбца, сопровождаемый сигналом CAS (Column Address Strobe - строб адреса столбца). Поскольку конденсаторы постепенно разряжаются (заряд сохраняется в ячейке в течение нескольких миллисекунд), во избежание потери хранимой информации заряд в них необходимо постоянно регенерировать, отсюда и название памяти - динамическая. На подзаряд тратится и энергия и время, и это снижает производительность системы.

Ячейки динамической памяти по сравнению со статической имеют большее время срабатывания (десятки наносекунд), но большую удельную плотность (порядка десятков Мбит на корпус) и меньшее энергопотребление. Динамическая память используется для построения оперативных запоминающих устройств основной памяти ПК.

Кэш-память

Кэш-память имеет несколько уровней. Уровни l1, L2 и L3 это регистроваякэш-память - высокоскоростная память сравнительно большой емкости, являющаяся буфером между ОП и МП и позволяющая увеличить скорость выполнения операций. Регистры кэш-памяти недоступны для пользователя, отсюда и название кэш (cache), что в переводе с английского означает «тайник».

В современных материнских платах применяется конвейерный кэш с блочным доступом (Pipelined Burst Cache). В кэш-памяти хранятся копии блоков данных тех областей оперативной памяти, к которым выполнялись последние обращения, и весьма вероятны обращения в ближайшие такты работы - быстрый доступ к этим данным и позволяет сократить время выполнения очередных команд программы. При выполнении программы данные, считанные из ОП с небольшим опережением, записываются в кэш-память. В кэш-память записываются и результаты операций, выполненных в МП.

По принципу записи результатов в оперативную память различают два типа кэш-памяти:

l в кэш-памяти «с обратной записью» результаты операций прежде, чем их записать в ОП, фиксируются, а затем контроллер кэш-памяти самостоятельно перезаписывает эти данные в ОП;

l в кэш-памяти «со сквозной записью» результаты операций одновременно, параллельно записываются и в кэш-память, и в ОП.

Микропроцессоры, начиная от МП 80486, обладают встроенной в основное ядро МП кэш-памятью (или кэш-памятью 1-го уровня - L1), чем, в частности, и обусловливается их высокая производительность. Микропроцессоры Pentium имеют кэш-память отдельно для данных и отдельно для команд: у МП Pentium и Pentium Pro емкость этой памяти небольшая - по 8 Кбайт, у следующих версий МП Pentium по 16 Кбайт. У Pentium Pro и выше кроме кэш-памяти 1-го уровня есть и встроенная на микропроцессорную плату кэш-память 2-го уровня (L2) емкостью от 128 Кбайт до 2048 Кбайт. Эта встроенная кэш-память работает либо на полной тактовой частоте МП, либо на его половинной тактовой частоте.

Следует иметь в виду, что для всех МП может использоваться дополнительная кэш-память 2-го (L2) или 3-го (L3) уровня, размещаемая на материнской плате вне МП, емкость которой может достигать нескольких мегабайтов (кэш на MB относится к уровню 3, если МП, установленный на этой плате, имеет кэш 2-го уровня). Время обращения к кэш-памяти зависит от тактовой частоты, на которой кэш работает, и составляет обычно 1–2 такта. Так, для кэш-памяти L1 МП Pentium характерно время обращения 2–5 нс, для кэш-памяти L2 и L3 это время доходит до 10 нс. Пропускная способность кэш-памяти зависит и от времени обращения, и от пропускной способности интерфейса, и лежит в широких пределах от 300 до 3000 Мбайт/с.

Использование кэш-памяти существенно увеличивает производительность системы. Чем больше размер кэш-памяти, тем выше быстродействие, но эта зависимость нелинейная. Имеет место постепенное уменьшение скорости роста общей производительности компьютера с ростом размера кэш-памяти. Для современных ПКрост производительности, как правило, практически прекращается после 1 Мбайт кэш-памяти L2. Создается кэш-память L1, L2, L3 на основе микросхем статической памяти.

В современных ПК применяется и кэш-память между внешними запоминающими устройствами на дисках и оперативной памятью, обычно относящаяся к 3-му уровню, реже, если есть кэш L3 на системной плате, к 4-му уровню. Кэш-память для ВЗУ создается либо в поле оперативной памяти, либо непосредственно в модуле самого ВЗУ.

Основная память

При рассмотрении структуры основной памяти можно говорить как о физической структуре, то есть об основных ее конструктивных компонентах, так и о логической структуре, то есть о ее различных областях, условно выделенных для организации более удобных режимов их использования и обслуживания.

В радиоаппаратуре часто требуется хранение временной информации, значение которой не важно при включении устройства. Такую память можно было бы построить на микросхемах или -памяти, но, к сожалению, эти микросхемы дороги, обладают малым количеством перезаписей и чрезвычайно низким быстродействием при считывании и особенно записи информации. Для хранения временной информации можно воспользоваться . Так как запоминаемые слова не нужны одновременно, то можно воспользоваться механизмом адресации, который применяется в .

Схемы, в которых в качестве запоминающей ячейки используется называются статическим оперативным запоминающим устройством - статическим ОЗУ (RAM - random access memory - память с произвольным доступом), т.к. информация в нем сохраняется все время, пока к микросхеме ОЗУ подключено питание. В отличие от статической ОЗУ в микросхемах постоянно требуется регенерировать их содержимое, иначе информация будет испорчена.

В микросхемах ОЗУ присутствуют две операции: операция записи и операция чтения. Для записи и чтения информации можно использовать различные шины данных (как это делается в сигнальных процессорах), но чаще используется одна и та же шина данных. Это позволяет экономить внешние выводы микросхем, подключаемых к этой шине и легко осуществлять коммутацию сигналов между различными устройствами.

Статического ОЗУ приведена на рисунке 1. Вход и выход ОЗУ в этой схеме объединены при помощи . Естественно, что схемы реальных ОЗУ будутотличаться от приведенной на этом рисунке. Тем не менее, приведенная схема позволяет понять как работает реальное ОЗУ. Условно-графическое обозначение ОЗУ на принципиальных схемах приведено на рисунке 2.

Рисунок 1. Структурная схема ОЗУ (RAM)

Рисунок 2. Условно-графическое обозначение ОЗУ (RAM)

Сигнал записи WR позволяет записать логические уровни, присутствующие на информационных входах во внутреннюю ячейку ОЗУ (RAM). Сигнал чтения RD позволяет выдать содержимое внутренней ячейки памяти на информационные выходы микросхемы. В приведенной на рисунке 1 схеме невозможно одновременно производить операцию записи и чтения, но обычно это и не нужно.

Конкретная ячейка ОЗУ выбирается при помощи двоичного кода - адреса ячейки. Объем памяти ОЗУ (RAM) зависит от количества ячеек, содержащихся в ней или, что то же самое, от количества адресных проводов. Количество ячеек в ОЗУ можно определить по количеству адресных проводов, возводя 2 в степень, равную количеству адресных выводов в микросхеме:

Вывод выбора кристалла CS микросхем ОЗУ позволяет объединять несколько микросхем для увеличения объема памяти ОЗУ. Такая схема приведена на рисунке 3.

Рисунок 3. Схема ОЗУ, построенного на нескольких микросхемах памяти

Статические ОЗУ требуют для своего построения большой площади кристалла, поэтому их ёмкость относительно невелика. Статические ОЗУ применяются для построения микроконтроллерных схем из-за простоты построения принципиальной схемы и возможности работать на сколь угодно низких частотах, вплоть до постоянного тока. Кроме того статические ОЗУ применяются для построения КЭШ-памяти в универсальных компьютерах из-за высокого быстродействия статического ОЗУ.

Временные диаграммы чтения из статического ОЗУ совпадают с временными Временные диаграммы записи в статическое ОЗУ и чтения из него приведены на рисунке 4.

Рисунок 4. Временная диаграмма обращения к ОЗУ принятая для схем, совместимых со стандартом фирмы INTEL

На рисунке 4 стрелочками показана последовательность, в которой должны формироваться управляющие сигналы ОЗУ. На этом рисунке RD - это сигнал чтения; WR - сигнал записи; A - сигналы выбора адреса ячейки (так как отдельные биты в шине адреса могут принимать разные значения, то показаны пути перехода как в единичное, так и в нулевое состояние); DI - входная информация, предназначенная для записи в ячейку ОЗУ, расположенную по адресу A1; DO - выходная информация, считанная из ячейки ОЗУ, расположенной по адресу A2.

Рисунок 5. Временная диаграмма обращения к ОЗУ принятая для схем, совместимых со стандартом фирмы MOTOROLA

На рисунке 5 стрелочками показана последовательность, в которой должны формироваться управляющие сигналы. На этом рисунке R/W - это сигнал выбора операции записи или чтения; DS - сигнал стробирования данных; A - сигналы выбора адреса ячейки (так как отдельные биты в шине адреса могут принимать разные значения, то показаны пути перехода как в единичное, так и в нулевое состояние); DI - входная информация, предназначенная для записи в ячейку ОЗУ, расположенную по адресу A1; DO - выходная информация, считанная из ячейки ОЗУ, расположенной по адресу A2.

Литература:

Вместе со статьей "Статические оперативные запоминающие устройства - ОЗУ (RAM)" читают:

Принцип однородности памяти. Программы и данные хранятся в одной и той же памяти. Поэтому компьютер не различает, что хранится в данной ячейке памяти - число, текст или команда. Над командами можно выполнять такие же действия, как и над данными. Это открывает целый ряд возможностей. Например, программа в процессе своего выполнения также может подвергаться переработке, что позволяет задавать в самой программе правила получения некоторых ее частей (так в программе организуется выполнение циклов и подпрограмм). Более того, команды одной программы могут быть получены как результаты исполнения другой программы. На этом принципе основаны методы трансляции - перевода текста программы с языка программирования высокого уровня на язык конкретной машины.

Принцип программного управления. Из него следует, что программа состоит из набора команд, которые выполняются процессором автоматически друг за другом в определенной последовательности.

Выборка программы из памяти осуществляется с помощью счетчика команд . Этот регистр процессора последовательно увеличивает хранимый в нем адрес очередной команды на длину команды .

А так как команды программы расположены в памяти друг за другом, то тем самым организуется выборка цепочки команд из последовательно расположенных ячеек памяти.

Если же нужно после выполнения команды перейти не к следующей, а к какой-то другой, используются команды условного или безусловного переходов , которые заносят в счетчик команд номер ячейки памяти, содержащей следующую команду . Выборка команд из памяти прекращается после достижения и выполнения команды “стоп” .

Таким образом, процессор исполняет программу автоматически, без вмешательства человека .

3. Принцип адресности. Структурно основная память состоит из перенумерованных ячеек; процессору в произвольный момент времени доступна любая ячейка. Отсюда следует возможность давать имена областям памяти, так, чтобы к запомненным в них значениям можно было впоследствии обращаться или менять их в процессе выполнения программ с использованием присвоенных имен.

Компьютеры, построенные на этих принципах, относятся к типу фон-неймановских . Но существуют компьютеры, принципиально отличающиеся от фон-неймановских. Для них, например, может не выполняться принцип программного управления , т.е. они могут работать без “счетчика команд”, указывающего текущую выполняемую команду программы. Для обращения к какой-либо переменной, хранящейся в памяти, этим компьютерам не обязательно давать ей имя . Такие компьютеры называются не-фон-неймановскими .

14. АРХИТЕКТУРА И СТРУКТУРА.

При рассмотрении компьютерных устройств принято различать их архитектуру и структуру.

Архитектурой компьютера называется его описание на некотором общем уровне, включающее описание пользовательских возможностей программирования, системы команд, системы адресации, организации памяти и т.д. Архитектура определяет принципы действия, информационные связи и взаимное соединение основных логических узлов компьютера: процессора, оперативного ЗУ, внешних ЗУ и периферийных устройств. Общность архитектуры разных компьютеров обеспечивает их совместимость с точки зрения пользователя.

Структура компьютера - это совокупность его функциональных элементов и связей между ними. Элементами могут быть самые различные устройства - от основных логических узлов компьютера до простейших схем. Структура компьютера графически представляется в виде структурных схем, с помощью которых можно дать описание компьютера на любом уровне детализации.

15. ОТЛИЧИТЕЛЬНЫЕ ОСОБЕННОСТИ КАЖДОЙ ИЗ НИХ.

· Классическая архитектура (архитектура фон Неймана) - одно арифметико-логическое устройство (АЛУ), через которое проходит поток данных, и одно устройство управления (УУ), через которое проходит поток команд - программа. Это однопроцессорный компьютер . К этому типу архитектуры относится и архитектура персонального компьютера с общей шиной . Все функциональные блоки здесь связаны между собой общей шиной, называемой также системной магистралью. Физически магистраль представляет собой многопроводную линию с гнездами для подключения электронных схем. Совокупность проводов магистрали разделяется на отдельные группы: шину адреса, шину данных и шину управления.

Периферийные устройства (принтер и др.) подключаются к аппаратуре компьютера через специальные контроллеры - устройства управления периферийными устройствами. Контроллер - устройство, которое связывает периферийное оборудование или каналы связи с центральным процессором, освобождая процессор от непосредственного управления функционированием данного оборудования.

Многопроцессорная архитектура . Наличие в компьютере нескольких процессоров означает, что параллельно может быть организовано много потоков данных и много потоков команд . Таким образом, параллельно могут выполняться несколько фрагментов одной задачи.

Многомашинная вычислительная система . Здесь несколько процессоров, входящих в вычислительную систему, не имеют общей оперативной памяти , а имеют каждый свою (локальную). Каждый компьютер в многомашинной системе имеет классическую архитектуру, и такая система применяется достаточно широко. Однако эффект от применения такой вычислительной системы может быть получен только при решении задач, имеющих очень специальную структуру: она должна разбиваться на столько слабо связанных подзадач, сколько компьютеров в системе.

Преимущество в быстродействии многопроцессорных и многомашинных вычислительных систем перед однопроцессорными очевидно.

Архитектура с параллельными процессорами . Здесь несколько АЛУ работают под управлением одного УУ. Это означает, что множество данных может обрабатываться по одной программе - то есть по одному потоку команд. Высокое быстродействие такой архитектуры можно получить только на задачах, в которых одинаковые вычислительные операции выполняются одновременно на различных однотипных наборах данных.

В современных машинах часто присутствуют элементы различных типов архитектурных решений. Существуют и такие архитектурные решения, которые радикально отличаются от рассмотренных выше.

16. ЦЕНТРАЛЬНЫЙ ПРОЦЕССОР. ДВЕ ОСНОВНЫЕ РАЗНОВИДНОСТИ ПАМЯТИ КОМПЬЮТЕРА.

Центральный процессор в общем случае содержит в себе:

• арифметико-логическое устройство;
• шины данных и шины адресов;
• регистры;
• счетчики команд;
• кэш - очень быструю память малого объема (от 8 до 512 Кбайт);
• математический сопроцессор чисел с плавающей точкой.

Современные процессоры выполняются в виде микропроцессоров . Физически микропроцессор представляет собой интегральную схему - тонкую пластинку кристаллического кремния прямоугольной формы площадью всего несколько квадратных миллиметров, на которой размещены схемы, реализующие все функции процессора. Кристалл-пластинка обычно помещается в пластмассовый или керамический плоский корпус и соединяется золотыми проводками с металлическими штырьками, чтобы его можно было присоединить к системной плате компьютера.

В вычислительной системе может быть несколько параллельно работающих процессоров; такие системы называются многопроцессорными.

Как устроена память

Память компьютера построена из двоичных запоминающих элементов- битов , объединенных в группы по 8 битов, которые называются байтами. (Единицы измерения памяти совпадают с единицами измерения информации). Все байты пронумерованы. Номер байта называется его адресом.

Байты могут объединяться в ячейки, которые называются также словами. Для каждого компьютера характерна определенная длина слова - два, четыре или восемь байтов. Это не исключает использования ячеек памяти другой длины (например, полуслово, двойное слово). Как правило, в одном машинном слове может быть представлено либо одно целое число, либо одна команда. Однако, допускаются переменные форматы представления информации. Разбиение памяти на слова для четырехбайтовых компьютеров представлено в таблице:

Байт 0	Байт 1	Байт 2	Байт 3	Байт 4	Байт 5	Байт 6	Байт 7
ПОЛУСЛОВО	ПОЛУСЛОВО	ПОЛУСЛОВО	ПОЛУСЛОВО
СЛОВО	СЛОВО
ДВОЙНОЕ СЛОВО

Широко используются и более крупные производные единицы объема памяти: Килобайт, Мегабайт, Гигабайт , а также, в последнее время, Терабайт и Петабайт .

Современные компьютеры имеют много разнообразных запоминающих устройств, которые сильно отличаются между собой по назначению, временным характеристикам, объёму хранимой информации и стоимости хранения одинакового объёма информации. Различают два основных вида памяти - внутреннюю и внешнюю.

17 . ОСНОВНЫЕ КОМПОНЕНТЫ ВНУТРЕННЕЙ ПАМЯТИ. СТАТИЧЕСКАЯ И ДИНАМИЧЕСКАЯ ПАМЯТЬ.

В состав внутренней памяти входят оперативная память, кэш-память и специальная память.

1. Оперативная память

Оперативная память используется только для временного хранения данных и программ , так как, когда машина выключается, все, что находилось в ОЗУ, пропадает . Доступ к элементам оперативной памяти прямой - это означает, что каждый байт памяти имеет свой индивидуальный адрес.

Объем ОЗУ обычно составляет от 32 до 512 Мбайт. Для несложных административных задач бывает достаточно и 32 Мбайт ОЗУ, но сложные задачи компьютерного дизайна могут потребовать от 512 Мбайт до 2 Гбайт ОЗУ.

Обычно ОЗУ исполняется из интегральных микросхем памяти SDRAM (синхронное динамическое ОЗУ). Каждый информационный бит в SDRAM запоминается в виде электрического заряда крохотного конденсатора, образованного в структуре полупроводникового кристалла. Из-за токов утечки такие конденсаторы быстро разряжаются, и их периодически (примерно каждые 2 миллисекунды) подзаряжают специальные устройства. Этот процесс называется регенерацией памяти (Refresh Memory). Микросхемы SDRAM имеют ёмкость 16 - 256 Мбит и более. Они устанавливаются в корпуса и собираются в модули памяти .

Большинство современных компьютеров комплектуются модулями типа DIMM (Dual-In-line Memory Module - модуль памяти с двухрядным расположением микросхем). В компьютерных системах на самых современных процессорах используются высокоскоростные модули Rambus DRAM (RIMM) и DDR DRAM .

Модули памяти характеризуются такими параметрами, как объем -(16, 32, 64, 128, 256 или 512 Мбайт), число микросхем, паспортная частота (100 или 133 МГц), время доступа к данным (6 или 7 наносекунд) и число контактов (72, 168 или 184). В 2001 г. начинается выпуск модулей памяти на 1 Гбайт и опытных образцов модулей на 2 Гбайта . В 2009 г. модули 2 гб распространены. Начала производства модулей по 4 гб.

2. Кэш-память

Кэш-памятью управляет специальное устройство - контроллер, который, анализируя выполняемую программу, пытается предвидеть, какие данные и команды вероятнее всего понадобятся в ближайшее время процессору, и подкачивает их в кэш-память. При этом возможны как "попадания" , так и "промахи" . В случае попадания, то есть, если в кэш подкачаны нужные данные, извлечение их из памяти происходит без задержки. Если же требуемая информация в кэше отсутствует, то процессор считывает её непосредственно из оперативной памяти. Соотношение числа попаданий и промахов определяет эффективность кэширования.

Кэш-память реализуется на микросхемах статической памяти SRAM (Static RAM), более быстродействующих, дорогих и малоёмких, чем DRAM (SDRAM). Современные микропроцессоры имеют встроенную кэш-память , так называемый кэш первого уровня размером 8, 16 или 32 Кбайт. Кроме того, на системной плате компьютера может быть установлен кэш второго уровня ёмкостью 256, 512 Кбайт и выше.

3. Специальная память

К устройствам специальной памяти относятся постоянная память (ROM), перепрограммируемая постоянная память (Flash Memory), память CMOS RAM , питаемая от батарейки, видеопамять и некоторые другие виды памяти.

Прежде всего в постоянную память записывают программу управления работой самого процессора. В ПЗУ находятся программы управления дисплеем, клавиатурой, принтером, внешней памятью, программы запуска и остановки компьютера, тестирования устройств.

Важнейшая микросхема постоянной или Flash-памяти - модуль BIOS. Роль BIOS двоякая: с одной стороны это неотъемлемый элемент аппаратуры, а с другой строны - важный модуль любой операционной системы.

BIOS (Basic Input/Output System - базовая система ввода-вывода) - совокупность программ, предназначенных для автоматического тестирования устройств после включения питания компьютера и загрузки операционной системы в оперативную память.

Содержимое CMOS изменяется специальной программой Setup , находящейся в BIOS (англ. Set-up - устанавливать, читается "сетап").

Для хранения графической информации используется видеопамять .

Существует много различных видов оперативной памяти, но их все можно подразделить на две основные подгруппы - статическая память (Static RAM) и динамическая память (Dynamic RAM).

Эти два типа памяти отличаются, прежде всего, различной в корне технологической реализацией - SRAM будет хранить записанные данные до тех пор, пока не запишут новые или не отключат питание, а DRAM может хранить данные лишь небольшое время, после которого данные нужно восстановить (регенерировать), иначе они будут потеряны.

Рассмотрим достоинства и недостатки SRAM и DRAM:

1. Память типа DRAM, в силу своей технологии, имеет гораздо большую плотность размещения данных, чем SRAM.

2. DRAM гораздо дешевле SRAM,

3. но последняя производительнее и надежнее, поскольку всегда готова к считыванию.

СТАТИЧЕСКАЯ RAM

В современных компьютерах SRAM используется как кэш второго уровня и имеет сравнительно небольшой объем (обычно 128...1024 Кб). В кэше она используется именно потому, что к нему предъявляются очень серьезные требования в плане надежности и производительности. Основную же память компьютера составляют микросхемы динамической памяти.

Статическую память делят на синхронную и асинхронную. Асинхронная память уже не используется в персональных компьютерах, она была вытеснена синхронной еще со времен 486-ых компьютеров.

Применение статической памяти не ограничивается кэш-памятью в персональных компьютерах. Серверы, маршрутизаторы, глобальные сети, RAID-массивы, коммутаторы - вот устройства, где необходима высокоскоростная SRAM.

SRAM - очень модифицируемая технология - существует множество ее типов, которые отличаются электрическими и архитектурными особенностями. В обычной синхронной SRAM происходит небольшая задержка, когда память переходит из режима чтения в режим записи.

Поэтому в 1997 г. несколько компаний представили свои технологии статической RAM без такой задержки. Это технологии ZBT (Zero-Bus Turnaround - нуль-переключение шины) SRAM от IDT, и похожая NoBL (No Bus Latency - шина без задержек). ДИНАМИЧЕСКАЯ RAM(вся память за исключением сегмента данных-64кб,стекопамяти-16кб,собственным телом программ)

Память типа DRAM гораздо шире распространена в вычислительной технике благодаря двум своим достоинствам перед SRAM - дешевизне и плотности хранения данных. Эти две характеристики динамической памяти компенсируют в некоторой степени ее недостатки - невысокое быстродействие и необходимость в постоянной регенерации данных.

Сейчас существуют около 25-ти разновидностей DRAM, так как производители и разработчики памяти пытаются угнаться за прогрессом в области центральных процессоров.

основные типы динамической памяти - от старых Conventional и FPM DRAM до еще не воплощенных в жизнь QDR, DDR SDRAM, RDRAM.

Оперативная память имеет 3 раздела:

• 640 кб. DOS – осн. ОЗУ
• 1мб основные модули Windows – верхняя ОЗУ
• оставшиеся модули – расширенная ОЗУ

18. МОДУЛЬ ПАМЯТИ DIMM. ДРУГИЕ ТИПЫ МОДУЛЕЙ ПАМЯТИ.

Оперативная память компьютера относится к одному из важнейших элементов компьютера, определяющих производительность и функциональные возможности всей системы. Оперативная память представлена определенным количеством микросхем ОЗУ на материнской плате. Если сравнительно недавно микросхемы ОЗУ подключались через специальные панельки - разъемы, позволявшие менять отдельные микросхемы без пайки, то в настоящее время архитектура компьютера предусматривает их размещение на небольших платах-модулях. Такие модули памяти устанавливаются в специальные разъемы-слоты на материнской плате. Одним из вариантов такого решения явились SIMM-модули (SIMM - single in-line memory modules).

Миниатюрные SIMM-модули, или просто SIMM, представляют собой блоки оперативной памяти разной емкости. Широкое распространение нашли SIMM на 4, 8, 16, 32 и даже 64 Мбайт.

SIMM бывают двух разных типов: на 30 pin и 72 pin, где pin ("пин") означает число контактов подключения к специализированному разъему ОЗУ на материнской плате. При этом 30 pin и 72 pin SIMM - не взаимозаменяемые элементы.

Внешний вид модуля DIMM

Модули типа DIMM наиболее распространены в виде 168-контактных модулей, устанавливаемых в разъём вертикально и фиксируемых защёлками. В портативных устройствах широко применяются SO DIMM - разновидность DIMM малого размера (англ. SO - small outline), они предназначены в первую очередь для портативных компьютеров.

Внешний вид модуля RIMM

Модули типа RIMM менее распространены, в таких модулях выпускается память типа Direct RDRAM. Они представлены 168/184-контактными прямоугольными платами, которые обязательно должны устанавливаться только в парах, а пустые разъёмы на материнской плате занимаются специальными заглушками. Это связано с особенностями конструкции таких модулей.

19. ВНЕШНЯЯ ПАМЯТЬ. РАЗНОВИДНОСТИ УСТРОЙСТВ ВНЕШНЕЙ ПАМЯТИ.

Внешняя память (ВЗУ) предназначена для длительного хранения программ и данных, и целостность её содержимого не зависит от того, включен или выключен компьютер. В отличие от оперативной памяти, внешняя память не имеет прямой связи с процессором. Информация от ВЗУ к процессору и наоборот циркулирует примерно по следующей цепочке:

Взу óОЗУ ó Кэш ó Процессор

В состав внешней памяти компьютера входят:

• накопители на жёстких магнитных дисках;
• накопители на гибких магнитных дисках;
• накопители на компакт-дисках;
• накопители на магнито-оптических компакт-дисках;
• накопители на магнитной ленте (стримеры) и др.

1. Накопители на гибких магнитных дисках

Дискета состоит из круглой полимерной подложки, покрытой с обеих сторон магнитным окислом и помещенной в пластиковую упаковку, на внутреннюю поверхность которой нанесено очищающее покрытие. В упаковке сделаны с двух сторон радиальные прорези, через которые головки считывания/записи накопителя получают доступ к диску.
Способ записи двоичной информации на магнитной среде называется магнитным кодированием. Он заключается в том, что магнитные домены в среде выстраиваются вдоль дорожек в направлении приложенного магнитного поля своими северными и южными полюсами. Обычно устанавл

ивается однозначное соответствие между двоичной информацией и ориентацией магнитных доменов.

Информация записывается по концентрическим дорожкам (трекам ), которые делятся на секторы . Количество дорожек и секторов зависит от типа и формата дискеты. Сектор хранит минимальную порцию информации, которая может быть записана на диск или считана. Ёмкость сектора постоянна и составляет 512 байтов.

В настоящее время наибольшее распространение получили дискеты со следующими характеристиками: диаметр 3,5 дюйма (89 мм), ёмкость 1,44 Мбайт, число дорожек 80, количество секторов на дорожках 18.

Дискета устанавливается в накопитель на гибких магнитных дисках (англ. floppy-disk drive ), автоматически в нем фиксируется , после чего механизм накопителя раскручивается до частоты вращения 360 мин -1 . В накопителе вращается сама дискета, магнитные головки остаются неподвижными. Дискета вращается только при обращении к ней. Накопитель связан с процессором через контроллер гибких дисков.

В последнее время появились трехдюймовые дискеты, которые могут хранить до 3 Гбайт информации. Они изготовливаются по новой технологии Nano2 и требуют специального оборудования для чтения и записи.

2. Накопители на жестких магнитных дисках

Если гибкие диски - это средство переноса данных между компьютерами, то жесткий диск - информационный склад компьютера .

Как и у дискеты, рабочие поверхности платтеров разделены на кольцевые концентрические дорожки, а дорожки - на секторы. Головки считывания-записи вместе с их несущей конструкцией и дисками заключены в герметически закрытый корпус, называемый модулем данных. При установке модуля данных на дисковод он автоматически соединяется с системой, подкачивающей очищенный охлажденный воздух. Поверхность платтера имеет магнитное покрытие толщиной всего лишь в 1,1 мкм, а также слой смазки для предохранения головки от повреждения при опускании и подъёме на ходу. При вращении платтера над ним образуется воздушный слой, который обеспечивает воздушную подушку для зависания головки на высоте 0,5 мкм над поверхностью диска.

Винчестерские накопители имеют очень большую ёмкость: от 10 до 100 Гбайт. У современных моделей скорость вращения шпинделя (вращающего вала) обычно составляет 7200 об/мин, среднее время поиска данных 9 мс, средняя скорость передачи данных до 60 Мбайт/с. В отличие от дискеты, жесткий диск вращается непрерывно . Все современные накопители снабжаются встроенным кэшем (обычно 2 Мбайта), который существенно повышает их производительность. Винчестерский накопитель связан с процессором через контроллер жесткого диска.

4. Накопители на компакт-дисках

Здесь носителем информации является CD-ROM (Сompact Disk Read-Only Memory - компакт диск, из которого можно только читать).

CD-ROM представляет собой прозрачный полимерный диск диаметром 12 см и толщиной 1,2 мм, на одну сторону которого напылен светоотражающий слой алюминия, защищенный от повреждений слоем прозрачного лака. Толщина напыления составляет несколько десятитысячных долей миллиметра.

Информация на диске представляется в виде последовательности впадин (углублений в диске) и выступов (их уровень соответствует поверхности диска), расположеных на спиральной дорожке, выходящей из области вблизи оси диска. На каждом дюйме (2,54 см) по радиусу диска размещается 16 тысяч витков спиральной дорожки. Для сравнения - на поверхности жесткого диска на дюйме по радиусу помещается лишь несколько сотен дорожек. Емкость CD достигает 780 Мбайт . Информация наносится на диск при его изготовлении и не может быть изменена.

CD-ROM обладают высокой удельной информационной емкостью, что позволяет создавать на их основе справочные системы и учебные комплексы с большой иллюстративной базой. Один CD по информационной емкости равен почти 500 дискетам. Cчитывание информации с CD-ROM происходит с достаточно высокой скоростью, хотя и заметно меньшей, чем скорость работы накопителей на жестком диске. CD-ROM просты и удобны в работе, имеют низкую удельную стоимость хранения данных, практически не изнашиваются, не могут быть поражены вирусами, c них невозможно случайно стереть информацию.

В отличие от магнитных дисков, компакт-диски имеют не множество кольцевых дорожек, а одну - спиральную, как у грампластинок. В связи с этим, угловая скорость вращения диска не постоянна. Она линейно уменьшается в процессе продвижения читающей лазерной головки к краю диска.

Для работы с CD-ROM нужно подключить к компьютеру накопитель CD-ROM (рис. 2.9), преобразующий последовательность углублений и выступов на поверхности CD-ROM в последовательность двоичных сигналов. Для этого используется считывающая головка с микролазером и светодиодом. Глубина впадин на поверхности диска равна четверти длины волны лазерного света. Если в двух последовательных тактах считывания информации луч света лазерной головки переходит с выступа на дно впадины или обратно, разность длин путей света в этих тактах меняется на полуволну, что вызывает усиление или ослабление совместно попадающих на светодиод прямого и отраженного от диска света.

Если в последовательных тактах считывания длина пути света не меняется, то и состояние светодиода не меняется. В результате ток через светодиод образует последовательность двоичных электрических сигналов, соответствующих сочетанию впадин и выступов на дорожке.

Различная длина оптического пути луча света в двух последовательных тактах считывания информации соответствует двоичным единицам. Одинаковая длина соответствует двоичным нулям.

Сегодня почти все персональные компьютеры имеют накопитель CD-ROM. Но многие мультимедийные интерактивные программы слишком велики, чтобы поместиться на одном CD. На смену технологии СD-ROM стремительно идет технология цифровых видеодисков DVD . Эти диски имеют тот же размер, что и обычные CD, но вмещают до 17 Гбайт данных , т.е. по объему заменяют 20 стандартных дисков CD-ROM. На таких дисках выпускаются мультимедийные игры и интерактивные видеофильмы отличного качества, позволяющие зрителю просматривать эпизоды под разными углами камеры, выбирать различные варианты окончания картины, знакомиться с биографиями снявшихся актеров, наслаждаться великолепным качеством звука.

4. Накопитель на магнито-оптических компакт-дисках DVD

4,7 17 50-hd dvd 200 blue ray

Накопитель WARM (Write And Read Many times), позволяет производить многократную запись и считывание.

5. Накопители на магнитной ленте (стримеры)

Стримеры позволяют записать на небольшую кассету с магнитной лентой огромное количество информации. Встроенные в стример средства аппаратного сжатия позволяют автоматически уплотнять информацию перед её записью и восстанавливать после считывания, что увеличивает объём сохраняемой информации.

Недостатком стримеров является их сравнительно низкая скорость записи, поиска и считывания информации.

1. Флешка

Кристалл на который записывается информация –32гб

20. ЖИДКОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЕ МОНИТОРЫ. МОНИТОРЫ, ПОСТОРЕННЫЕ НА ОСНОВЕ ЭЛТ

Видеосистема компьютера состоит из трех компонент:

монитор (называемый также дисплеем);

видеоадаптер ;

программное обеспечение (драйверы видеосистемы).

Видеоадаптер посылает в монитор сигналы управления яркостью лучей и синхросигналы строчной и кадровой развёрток. Монитор преобразует эти сигналы в зрительные образы. А программные средства обрабатывают видеоизображения - выполняют кодирование и декодирование сигналов, координатные преобразования, сжатие изображений и др.

Подавляющее большинство мониторов сконструированы на базе электронно-лучевой трубки (ЭЛТ) , и принцип их работы аналогичен принципу работы телевизора. Мониторы бывают алфавитно-цифровые и графические, монохромные и цветного изображения. Современные компьютеры комплектуются, как правило, цветными графическими мониторами.

1. Монитор на базе электронно-лучевой трубки

Основной элемент дисплея - электронно-лучевая трубка . Её передняя, обращенная к зрителю часть с внутренней стороны покрыта люминофором - специальным веществом, способным излучать свет при попадании на него быстрых электронов .

Люминофор наносится в виде наборов точек трёх основных цветов - красного , зелёного и синего . Эти цвета называют основными, потому что их сочетаниями (в различных пропорциях) можно представить любой цвет спектра.

Наборы точек люминофора располагаются по треугольным триадам. Триада образует пиксел - точку, из которых формируется изображение (англ. pixel - picture element, элемент картинки).

Расстояние между центрами пикселов называется точечным шагом монитора . Это расстояние существенно влияет на чёткость изображения. Чем меньше шаг, тем выше чёткость. Обычно в цветных мониторах шаг составляет 0,24 мм. При таком шаге глаз человека воспринимает точки триады как одну точку "сложного" цвета.

На противоположной стороне трубки расположены три (по количеству основных цветов) электронные пушки. Все три пушки "нацелены" на один и тот же пиксел, но каждая из них излучает поток электронов в сторону "своей" точки люминофора. Чтобы электроны беспрепятственно достигали экрана, из трубки откачивается воздух, а между пушками и экраном создаётся высокое электрическое напряжение, ускоряющее электроны. Перед экраном на пути электронов ставится маска - тонкая металлическая пластина с большим количеством отверстий, расположенных напротив точек люминофора. Маска обеспечивает попадание электронных лучей только в точки люминофора соответствующего цвета.

Величиной электронного тока пушек и, следовательно, яркостью свечения пикселов, управляет сигнал, поступающий с видеоадаптера.

На ту часть колбы, где расположены электронные пушки, надевается отклоняющая система монитора, которая заставляет электронный пучок пробегать поочерёдно все пикселы строчку за строчкой от верхней до нижней, затем возвращаться в начало верхней строки и т.д.

Количество отображённых строк в секунду называется строчной частотой развертки. А частота, с которой меняются кадры изображения, называется кадровой частотой развёртки. Последняя не должна быть ниже 85 Гц, иначе изображение будет мерцать .

2. Жидкокристаллические мониторы

Все шире используются наряду с традиционными ЭЛТ-мониторами. Жидкие кристаллы - это особое состояние некоторых органических веществ, в котором они обладают текучестью и свойством образовывать пространственные структуры, подобные кристаллическим. Жидкие кристаллы могут изменять свою структуру и светооптические свойства под действием электрического напряжения. Меняя с помощью электрического поля ориентацию групп кристаллов и используя введённые в жидкокристаллический раствор вещества, способные излучать свет под воздействием электрического поля, можно создать высококачественные изображения, передающие более 15 миллионов цветовых оттенков.

Большинство ЖК-мониторов использует тонкую плёнку из жидких кристаллов, помещённую между двумя стеклянными пластинами. Заряды передаются через так называемую пассивную матрицу - сетку невидимых нитей, горизонтальных и вертикальных, создавая в месте пересечения нитей точку изображения (несколько размытого из-за того, что заряды проникают в соседние области жидкости).

Активные матрицы вместо нитей используют прозрачный экран из транзисторов и обеспечивают яркое, практически не имеющее искажений изображение. Экран при этом разделен на независимые ячейки, каждая из которых состоит из четырех частей (для трёх основных цветов и одна резервная). Количество таких ячеек по широте и высоте экрана называют разрешением экрана. Современные ЖК-мониторы имеют разрешение 642х480, 1280х1024 или 1024х768. Таким образом, экран имеет от 1 до 5 млн точек, каждая из которых управляется собственным транзистором. По компактности такие мониторы не знают себе равных. Они занимают в 2 - 3 раза меньше места, чем мониторы с ЭЛТ и во столько же раз легче; потребляют гораздо меньше электроэнергии и не излучают электромагнитных волн, воздействующих на здоровье людей.

21. ПРИНТЕРЫ. ПЛОТТЕР. СКАНЕР

Существуют тысячи наименований принтеров. Но основных видов принтеров три: матричные, лазерные и струйные.

· Матричные принтеры используют комбинации маленьких штырьков, которые бьют по красящей ленте, благодаря чему на бумаге остаётся отпечаток символа. Каждый символ, печатаемый на принтере, формируется из набора 9, 18 или 24 игл, сформированных в виде вертикальной колонки. Недостатками этих недорогих принтеров являются их шумная работа и невысокое качество печати.

· Лазерные принтеры работают примерно так же, как ксероксы. Компьютер формирует в своей памяти "образ" страницы текста и передает его принтеру. Информация о странице проецируется с помощью лазерного луча на вращающийся барабан со светочувствительным покрытием, меняющим электрические свойства в зависимости от освещённости.

После засветки на барабан, находящийся под электрическим напряжением, наносится красящий порошок - тонер, частицы которого налипают на засвеченные участки поверхности барабана. Принтер с помощью специального горячего валика протягивает бумагу под барабаном; тонер переносится на бумагу и "вплавляется" в неё, оставляя стойкое высококачественное изображение. Цветные лазерные принтеры пока очень дороги.

· Струйные принтеры генерируют символы в виде последовательности чернильных точек . Печатающая головка принтера имеет крошечные сопла, через которые на страницу выбрызгиваются быстросохнущие чернила. Эти принтеры требовательны к качеству бумаги. Цветные струйные принтеры создают цвета, комбинируя чернила четырех основных цветов - ярко-голубого, пурпурного, желтого и черного.

Принтер связан с компьютером посредством кабеля принтера, один конец которого вставляется своим разъёмом в гнездо принтера, а другой - в порт принтера компьютера. Порт - это разъём, через который можно соединить процессор компьютера с внешним устройством .

Каждый принтер обязательно имеет свой драйвер - программу, которая способна переводить (транслировать) стандартные команды печати компьютера в специальные команды, требующиеся для каждого принтера.

Плоттеры используются для получения сложных конструкторских чертежей, архитектурных планов, географических и метеорологических карт, деловых схем. Плоттеры рисуют изображения с помощью пера.

Роликовые плоттеры прокручивают бумагу под пером, а планшетные плоттеры перемещают перо через всю поверхность горизонтально лежащей бумаги.

Плоттеру, так же, как и принтеру, обязательно нужна специальная программа - драйвер , позволяющая прикладным программам передавать ему инструкции: поднять и опустить перо, провести линию заданной толщины и т.п.

Если принтеры выводят информацию из компьютера, то сканеры, наоборот, переносят информацию с бумажных документов в память компьютера. Существуют ручные сканеры , которые прокатывают по поверхности документа рукой, и планшетные сканеры , по внешнему виду напоминающие копировальные машины.

Динамическая память (DRAM) - это тип памяти с произвольным доступом, используемый в вычислительных устройствах, и в первую очередь на ПК. DRAM хранит каждый бит данных в отдельном пассивном электронном компоненте, который находится внутри интегральной платы. Каждый электрический компонент имеет два состояния значения в одном бите, называемом 0 и 1. Он должен часто обновляться, иначе информация исчезает. DRAM имеет один конденсатор и один транзистор на бит, в отличие от статической памяти произвольного доступа (SRAM), которая требует 6 транзисторов. Используемые конденсаторы и транзисторы исключительно малы. Существуют миллионы конденсаторов и транзисторов, которые подходят к одному чипу памяти.

Будучи одной из форм технологии памяти, динамическая память ОЗУ возникла из разработок первых микропроцессоров и сопутствующих разработок интегральных схем. В середине 1960-х годов начали появляться в некоторых современных электронных продуктах, где ранее использовалась форма магнитной памяти в виде одного небольшого ферритового тороида для каждого элемента. Естественно, эта «основная» память была очень дорогой, а интегрированные версии были более привлекательными в долгосрочной перспективе.

Идея технологии DRAM появилась относительно рано на временной шкале полупроводниковых интегральных схем. Ранняя форма была применена в калькуляторе Toshiba, который был выпущен в 1966 году из дискретного компонента, а затем через два года идея была запатентована. Следующий этап разработки технологий произошел в 1969 году, когда Honeywell, который вошел на компьютерный рынок, попросил Intel изготовить динамическую память, используя три идеи транзисторных ячеек. Полученная ИС DRAM была названа Intel 1102 и появилась в начале 1970 года. Однако у устройства было несколько проблем, после чего Intel разработал новую технологию, которая работала более надежно.

Полученное новое устройство появилось в конце 1970 года и получило название Intel 1103. Технология продвинулась еще дальше, когда в 1973 году MOSTEK выпустил свой MK4096. Как показывает номер детали, устройство имело емкость 4 к. Главным его преимуществом было то, что он включал мультиплексированный подход к строкам и столбцам. Этот новый подход позволил вписаться в пакеты с меньшим количеством контактов. В результате преимущество в стоимости выросло по сравнению с предыдущими подходами при каждом увеличении объема памяти.

Это позволило технологии MOSTEK получить более 75 % доли мирового рынка. В конце концов MOSTEK проиграл японским производителям, поскольку они смогли производить более качественные устройства по более низкой цене.

DRAM — динамическая память, а SRAM — статическая память. Чипы DRAM на плате обновляются каждые несколько миллисекунд. Это делается путем перезаписи данных в модуль. Чипы, которые нуждаются в обновлении, являются энергозависимой памятью. DRAM напрямую обращается к памяти, запоминает память на короткий период и теряет свои данные при отключении питания.

SRAM — это которая является статической и не нуждается в обновлении. Поскольку она выполняется намного быстрее, то используется в регистрах и кеш-памяти. SRAM хранит данные и работает на более высоких скоростях, чем динамическая память c материнской платой, потому что это намного дешевле в производстве.

DRAM — это один из вариантов полупроводниковой памяти, которым разработчик системы может использовать при создании компьютера. Альтернативные варианты памяти включают статическое ОЗУ (SRAM), электрически стираемая программируемая память только для чтения (EEPROM), NOR Flash и NAND Flash. Во многих системах используется более одного типа памяти.

Типы печатных плат и системы считывания

Три основных типа печатных плат, которые содержат микросхемы памяти — это два встроенных модуля памяти (DIMM), однострочные модули памяти (SIMM) и модули памяти Rambus в линейке (RIMM).

Сегодня большинство материнских плат используют модули DIMM. Частота обновления модуля для DRAM составляет каждые несколько миллисекунд (1/1000 секунды). Это обновление выполняется контроллером памяти, расположенным на чипсете материнской платы. Поскольку логика обновления используется для автоматического обновления, плата DRAM является довольно сложной.

Существуют различные системы, используемые для обновления, но для всех методов требуется, чтобы счетчик отслеживал строку, которая должна быть обновлена следующим образом. Ячейки DRAM организованы в виде квадратного набора конденсаторов, обычно 1024 на 1024 ячеек. Когда ячейка находится в состоянии «прочитано», считывается целая строка, и обновление записывается обратно. Когда в состоянии «записи», целая строка «считывается», изменяется одно значение, а затем вся строка переписывается.

В зависимости от системы есть чипы DRAM, которые содержат счетчик в то время, как другие системы полагаются на логику обновления периферийного устройства. Время доступа составляет около 60 наносекунд, в то время как SRAM может достигать 10 наносекунд. Кроме того, время цикла DRAM намного длиннее, чем у SRAM. Время цикла короче, потому что ему не нужно останавливаться между обращениями и обновлениями.

DRAM является преемником SRAM. Дизайнеры памяти уменьшили количество элементов на бит и исключили дифференциальные разрядные линии, чтобы сохранить область чипа для создания DRAM. В результате ее дешевле производить, чем SRAM. Но SRAM сохраняет некоторые преимущества перед DRAM. Сравнение статической и динамической памяти:

1. SRAM не нуждается в обновлении, поскольку работает по принципу переключения текущего потока в одном из двух направлений вместо того, чтобы удерживать заряд в месте хранения.
2. Ее обычно используется для кеш-памяти, к которой можно получить доступ быстрее, чем DRAM.
3. SRAM способна считывать и записывать байтовые разряды и быстрее считывает и записывает, чем DRAM, который записывает данные на уровне байта и читает на уровне многобайтовых страниц.
4. Различия в мощности определяются в зависимости от того, находится ли система в активном или спящем режиме. DRAM требует меньше энергии, чем SRAM в активном состоянии, но SRAM потребляет значительно меньше энергии, в режиме ожидания.

Существует много типов или интерфейсов для связи с DRAM. Они включают в себя с быстрым режимом страницы (FPM DRAM), расширенные данные из DRAM (EDO RAM) и синхронную DRAM (SDRAM). SDRAM это общее название для типов DRAM, синхронизированных с тактовой частотой от микропроцессора. Они включают SDRAM с одной скоростью передачи данных (SDR), SDRAM с двойной скоростью передачи данных (DDR), DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM и DDR4 SDRAM.

Принцип работы RAM

Устройства динамической памяти имеют технологию MOS, лежащую в основе проектирования, изготовления и эксплуатации. Посмотрев, как работает память DRAM, можно видеть, что в базовой памяти RAM или DRAM используется конденсатор для хранения каждого бита данных и передающее устройство — MOSFET, которое действует как коммутатор.

Уровень заряда на конденсаторе ячейки памяти определяет, является ли этот конкретный бит логическим «1» или «0» — наличие заряда в конденсаторе указывает логику «1», а отсутствие заряда указывает логическое «0». Динамическое распределение памяти RAM имеет определенный формат, в результате чего он может быть плотно упакован на кремниевый чип, и это делает его очень дешевым. Две строки соединены с каждой динамической ячейкой RAM - линия Word (W / L) и линия бит (B / L), так что требуемая ячейка внутри матрицы может считывать или записывать данные.

Базовая ячейка

Показанная базовая ячейка памяти была бы одной из многих тысяч или миллионов таких ячеек в полном чипе памяти. Они могут иметь емкость 256 Мбит и более. Чтобы улучшить возможности записи и чтения и скорость, выполняют динамическое выделение памяти c разделением на подматрицы. Наличие нескольких подмассивов сокращает слова и битовые строки, и это сокращает время доступа к отдельным ячейкам. Например, динамическое ОЗУ 256 Мбит, DRAM может быть разделено на 16 меньших 16 Мбит массивов.

Линейные управляют входом линий передачи, в то время как битовые бины подключены к каналу FET и в итоге подключены к усилителям чувствительности. Существует два способа организации битовых строк:

1. Сложенные битовые линии. Можно рассматривать пару соседних разрядных линий, как одну разрядную линию, сложенную пополам, с соединением на слоте, подключенным к совместно используемому усилителю. Этот формат обеспечивает дополнительную помехоустойчивость, но за счет компактности.
2. Открытые битовые линии. В этой конфигурации линии помещаются между двумя подматрицами, тем самым, соединяя каждый усилитель сигнала с одной разрядной линией в каждом массиве. Это предлагает более компактное решение, чем свернутые битовые линии за счет помехоустойчивости.

Одна из проблем, связанных с этой схемой, заключается в том, что конденсаторы не удерживают свой заряд неограниченно, поскольку на конденсаторе имеется некоторая утечка. Было бы неприемлемо, чтобы память потеряла свои данные, и для преодоления этой проблемы периодически обновляются данные. Данные считываются и записываются, и это гарантирует, что всякая утечка будет преодолена, и данные будут восстановлены.

Одним из ключевых элементов памяти DRAM является тот факт, что данные периодически обновляются. Обычно производители указывают, что каждая строка должна обновляться каждые 64 мс. Этот временной интервал соответствует стандартам JEDEC для динамических периодов обновления RAM.

Существует множество способов, с помощью которых можно выполнить обновление. Некоторые процессорные системы обновляют каждую строку вместе каждые 64 мс. Другие системы обновляют по одной строке за раз, но это имеет тот недостаток, что при больших воспоминаниях частота обновления становится очень быстрой. Другие системы, особенно системы реального времени, в которых скорость имеет значение, принимают подход, когда часть полупроводниковой памяти одновременно зависит от внешнего таймера, управляющего работой остальной системы. Таким образом, это не мешает работе системы.

Независимо от того, какой метод используется, необходимо, чтобы счетчик мог отслеживать следующую строку в памяти DRAM, которая должна быть обновлена. Некоторые чипы включают счетчик, в противном случае для этой цели необходимо добавить дополнительное устройство. Может показаться, что схемы обновления, необходимые для памяти DRAM, усложнят общую схему памяти и делают ее более дорогой. Однако обнаружено, что дополнительная схема не является серьезной проблемой, если ее можно интегрировать в чип памяти. И также обнаружено, что эта память намного дешевле и имеет гораздо большую емкость, чем у другого основного соперника — статического ОЗУ (SRAM).

Отношение сигнал/шум

По мере увеличения размеров воспоминаний проблема соотношения сигнал/шум становится очень важной, поскольку может вызвать проблемы с повреждением данных. Это зависит от отношения емкости накопительного конденсатора в памяти DRAM к емкости линии Word или бит, на которую сбрасывается заряд, когда к ячейке обращаются. По мере увеличения плотности битов на микросхему отношение ухудшается, поскольку площадь ячейки уменьшается, из-за того, что на разрядную линию добавляется больше ячеек.

По этой причине важно хранить как высокое напряжение на емкостном конденсаторе, так и увеличить емкость запоминающего устройства DRAM для заданных областей в максимально возможной степени. Это очень важно, потому что чувствительность небольшого заряда на конденсаторе ячейки памяти является одной из самых сложных областей конструкции чипа памяти - DRAM. В результате этого некоторые сложные схемы были включены в чипы памяти.

Чипы памяти DRAM широко используются, и технология очень хорошо зарекомендовала себя. А чипы памяти и плагины доступны для расширения памяти компьютеров и многих других устройств. Хотя DRAM имеет свои недостатки, она по-прежнему широко используется, поскольку предлагает множество преимуществ с точки зрения размера затрат и удовлетворительной скорости, она не самая быстрая, но все же намного быстрее, чем некоторые другие типы памяти.

В семействе памяти DRAM существует несколько типов, включая асинхронные, синхронные, EDO, BEDO, FPM и другие. Помимо типа технологии памяти, она также может содержаться в нескольких типах пакетов IC. DRAM также доступен в форматах модулей и имеется несколько типов модулей памяти, включая модули DIMM, SIMM, RIMM и т. п. Таким образом, необходимо иметь представление обо всех различных типах DRAM и форматах, в которых память может быть получена, установлена и использована.

При изучении самой технологии памяти существует большое разнообразие различных типов DRAM. Асинхронный DRAM, является основным типом, на котором основаны все остальные типы. Асинхронные имеют соединения для питания, адресных входов и двунаправленных линий данных. Хотя этот тип DRAM является асинхронным, система запускается контроллером памяти, который синхронизирован, и это ограничивает скорость системы, чтобы умножить тактовую частоту. Тем не менее, сама работа DRAM не является синхронной.

Выделение памяти

Динамическое выделение памяти - это процесс, с помощью которого компьютерным программам и службам присваивается физическое или виртуальное пространство памяти. Фактически - это процесс резервирования частичной или полной части компьютерной памяти для выполнения программ и процессов. Распределение памяти достигается посредством процесса, известного как управление памятью через операционную систему и программные приложения.

Динамическое выделение памяти имеет два основных типа:

1. Распределение статической памяти, программе выделяется память во время компиляции.
2. Динамическое распределение памяти, программы распределяются с памятью во время выполнения.

Процесс распределения памяти очень похож на управление физической и виртуальной памятью. Программы и службы назначаются определенной памятью в соответствии с их требованиями при выполнении. Как только программа завершит свою работу, или простаивает, память освобождается и назначается другой программе или объединена в первичной памяти.

Оптимизация использования памяти

Динамическая память arduino выполнена в виде flash.Там где сама программа хранится и не может быть изменена, кроме случаев, когда пользователь загружает новую программу, называемую «эскизом», с компьютера, и сохраняет то, что загрузил, даже если питание отключено. Когда проверяют или загружают эскиз, ПК сообщит в окне, сколько флэш есть и сколько использовано, если включен «подробный режим» в настройках.

Каждый раз, когда загружается новый эскиз, он перезаписывает старый. Arduino одномоментно имеет только одну программу, и когда в Arduino подается питание, программа запускается навсегда. Большинство современных Arduinos имеют около 32 тыс. флэш-памяти, что довольно мало и ограничивает размер программ (эскизов), которые вам можно загрузить. Но SRAM - реальный предел для многих вещей. Пользователю действительно нужно быть осторожным в планировании, чтобы свести к минимуму то, что действительно нужно сохранить. И если пытаются использовать слишком много — Arduino просто не сработает. Пользователь даже не сможете выполнить самые минимальные отладочные действия, пока не будет перезагружен ПК.

SRAM — самый ценный товар памяти на Arduino. Хотя недостатки SRAM, вероятно, являются наиболее распространенными проблемами памяти на Arduino. Их трудно диагностировать. Если программа терпит неудачу необъяснимым образом, есть хорошие шансы, что пользователь разбил стек из-за нехватки SRAM. Есть ряд вещей, которые можно сделать для сокращения использования SRAM:

1. Удалить неиспользуемые переменные.
2. Зарезервировать строки.
3. Переместите постоянные данные в PROGMEM.
4. Уменьшение размеров буфера.
5. Уменьшение негабаритных переменных.

Любая переменная, которую пользователь определяете либо в верхней части программы, внутри функции, либо даже «на лету» в чем-то вроде цикла for, скорее всего, будет использовать SRAM, хотя некоторые переменные никогда не хранятся в SRAM. Каждый раз, когда Arduino запускается с помощью включения или сброса, все его переменные повторно инициализируются по умолчанию, и ей необходимо повторно изучить среду, с которой она работает.

Работа с динамической памятью - важный важный аспект, который следует учитывать при разработке системы. На самом деле, есть третий вид памяти - EEPROM, который можно записать, и он будет сохранен в случае прерывания питания. Arduino может записывать 300 EEPROM в секунду, если пользователь будет неосторожен, то теоретически такая скорость может уничтожить ячейку памяти через 5 минут, а весь EEPROM - через два дня.

□ tдост - время поиска информации на носителе;

□ Vсчит ~~ скорость считывания смежных байтов информации подряд (трансфер). Напомним общепринятые сокращения: с - секунда, мс - миллисекунда, мкс - микросекунда, нc - наносекунда; 1 с = 106мс = 106мкс = 109нс.

Статическая и динамическая оперативная память

Оперативная память может строиться на микросхемах динамического (Dinamic Random Access Memory - DRAM) или статического (Static Random Access Me­mory - SRAM) типа.

Статический тип памяти обладает существенно более высоким быстродействием, но значительно дороже динамического. В статической памяти элементы (ячейки) построены на различных вариантах триггеров - схем с двумя устойчивыми со­стояниями. После записи бита в такую ячейку она может пребывать в этом состо­янии сколь угодно долго - необходимо только наличие питания. При обращении к микросхеме статической памяти на нее подается полный адрес, который при по­мощи внутреннего дешифратора преобразуется в сигналы выборки конкретных ячеек. Ячейки статической памяти имеют малое время срабатывания (единицы наносекунд), однако микросхемы на их основе имеют низкую удельную емкость (единицы мегабит на корпус) и высокое энергопотребление. Поэтому статическая память используется в основном в качестве микропроцессорной и буферной (кэш­память).

В динамической памяти ячейки построены на основе полупроводниковых облас­тей с накоплением зарядов (своеобразных конденсаторов), занимающих гораздо меньшую площадь, нежели триггеры, и практически не потребляющих энергии при хранении. Конденсаторы расположены на пересечении вертикальных и горизон­тальных шин матрицы; запись и считывание информации осуществляется подачей электрических импульсов по тем шинам матрицы, которые соединены с элемента­ми, принадлежащими выбранной ячейке памяти. При обращении к микросхеме на ее входы вначале подается адрес строки матрицы, сопровождаемый сигналом RAS (Row Address Strobe - строб адреса строки), затем, через некоторое время - адрес столбца, сопровождаемый сигналом С AS (Column Address Strobe - строб адреса столбца). Поскольку конденсаторы постепенно разряжаются (заряд сохраняется в ячейке в течение нескольких миллисекунд), во избежание потери хранимой ин­формации заряд в них необходимо постоянно регенерировать, отсюда и название памяти - динамическая. На подзаряд тратится и энергия и время, и это снижает производительность системы.

Ячейки динамической памяти по сравнению со статической имеют большее время срабатывания (десятки наносекунд), но большую удельную плотность (порядка десятков мегабит на корпус) и меньшее энергопотребление. Динамическая память используется для построения оперативных запоминающих устройств основной памяти ПК.

DIV_ADBLOCK23">

Микропроцессоры, начиная от МП 80486, имеют свою встроенную в основное ядро МП кэш-память (или кэш-память 1-го уровня - L1), чем, в частности, и обуслов­ливается их высокая производительность. Микропроцессоры Pentium имеют кэш­память отдельно для данных и отдельно для команд: у Pentium емкость этой памя­ти небольшая - по 8 Кбайт, у Pentium MMX - по 16 Кбайт. У Pentium Pro и выше кроме кэш-памяти 1-го уровня есть и встроенная на микропроцессорную плату кэш-память 2-го уровня (L2) емкостью от 128 до 2048 Кбайт. Эта встроенная кэш­память работает либо на полной тактовой частоте МП, либо на его половинной тактовой частоте.

Следует иметь в виду, что для всех МП может использоваться дополнительная кэш-память 2-го (L2) или 3-го (L3) уровня, размещаемая на материнской плате вне МП, емкость которой может достигать нескольких мегабайт (кэш на MB отно­сится к уровню 3, если МП, установленный на этой плате, имеет кэш 2-го уровня). Время обращения к кэш-памяти зависит от тактовой частоты, на которой кэш ра­ботает, и составляет обычно 1-2 такта. Так, для кэш-памяти L1 МП Pentium ха­рактерно время обращения 2-5 не, для кэш-памяти L2 и L3 это время доходит до 10 не. Пропускная способность кэш-памяти зависит и от времени обращения, и от пропускной способности интерфейса и лежит в широких пределах от 300 до 3000 Мбайт/с.

Использование кэш-памяти существенно увеличивает производительность систе­мы. Чем больше размер кэш-памяти, тем выше производительность, но эта зависи­мость нелинейная. Имеет место постепенное уменьшение скорости роста общей

производительности компьютера с ростом размера кэш-памяти. Для современных ПК рост производительности, как правило, практически прекращается после 1 Мбайт кэш-памяти L2. Создается кэш-память на основе микросхем статической памяти.

Примечание------ -

В современных ПК часто применяется и кэш-память между внешними запоминаю­щими устройствами на дисках и оперативной памятью, обычно относящаяся к 3-му уровню, реже, если есть кэш L3 на системной плате, к 4-му. Кэш-память для ВЗУ создается либо в поле оперативной памяти, либо непосредственно в модуле само­го ВЗУ.

DIV_ADBLOCK25">

Считываемая или записываемая информация поступает в регистр данных (Рег.-данных), непосредственно связанный с кодовыми шинами данных. Управляющие сигналы, определяющие, какую операцию следует выполнить, поступают по кодо­вым шинам инструкций. Куб памяти содержит набор запоминающих элементов - собственно ячеек памяти.

Основная память (ОП) содержит оперативное (RAM - Random Access Memory) и постоянное (ROM - Read Only Memory) запоминающие устройства.

Оперативное запоминающее устройство (ОЗУ) предназначено для хранения ин­формации (программ и данных), непосредственно участвующей в вычислитель­ном процессе в текущий интервал времени. ОЗУ - энергозависимая память: при отключении напряжения питания информация, хранящаяся в ней, теряется. Ос­нову ОЗУ составляют микросхемы динамической памяти DRAM. Это большие интегральные схемы, содержащие матрицы полупроводниковых запоминающих

элементов - полупроводниковых конденсаторов. Наличие заряда в конденсаторе обычно означает «1», отсутствие заряда- «О». Конструктивно элементы опера­тивной памяти выполняются в виде отдельных модулей памяти - небольших плат с напаянными на них одной или, чаще, несколькими микросхемами. Эти модули вставляются в разъемы - слоты на системной плате. На материнской плате может быть несколько групп разъемов (банков) для установки модулей памяти; в один банк можно ставить только блоки одинаковой емкости; блоки разной емкости можно устанавливать в разных банках.

DIV_ADBLOCK26">

Модули памяти характеризуются конструктивом, емкостью, временем обращения и надежностью работы. Важным параметром модуля памяти является его надеж­ность и устойчивость к возможным сбоям. Надежность работы современных мо-

дулей памяти весьма высокая - среднее время наработки на отказ составляет сот­ни тысяч часов, но тем не менее предпринимаются и дополнительные меры повы­шения надежности. Вопросы обеспечения надежности и достоверности ввиду их важности специально рассмотрены в части 6 учебника. Здесь лишь укажем, что одним из направлений, повышающих надежность функционирования подсисте­мы памяти, является использование специальных схем контроля и избыточного кодирования информации.

Модули памяти бывают с контролем четности (parity) и без контроля четности (nоn parity) хранимых бит данных. Контроль по четности позволяет лишь обнару­жить ошибку и прервать исполнение выполняемой программы. Существуют и бо­лее дорогие модули памяти с автоматической коррекцией ошибок - ЕСС-память, использующие специальные корректирующие коды с исправлением ошибок (см. раздел «Обеспечение достоверности информации» главы 20).

ПРИМЕЧАНИЕ

Некоторые недобросовестные фирмы (китайские, например) с целью повышения кон­курентоспособности своих изделий в глазах неопытных покупателей ставят в модули специальный имитатор четности - микросхему-сумматор, выдающую при считыва­ нии ячейки всегда правильный бит четности. В этом случае никакого контроля нет, а лишь имитируется его выполнение. Надо сказать, что эта имитация иногда и полез­на, ибо существуют системные платы, требующие для своей корректной работы при­ сутствия бита контроля четности.

https://pandia.ru/text/78/135/images/image006_129.gif" width="491">микросхемами памяти типа DIP. SIMM бывают двух разных типов: короткие на 30 контактов (длина 75 мм) и длинные на 72 контакта (длина 100 мм). Модули SIMM имеют емкость 256 Кбайт, 1,4, 8, 16, 32 и 64 Мбайт. Модули SIMM выпус­каются с контролем и без контроля по четности и с эмуляцией контроля по четно­сти. SIMM отличаются также быстродействием - обычно они имеют время обраще­ния 60 и 70 нc. Сейчас такое время обращения считается нежелательным, поэтому модули SIMM встречаются только в устаревших ПК.

DIMM (Dual In line Memory Module) - более современные модули, имеющие 168-контактные разъемы (длина модуля 130 мм); могут устанавливаться только на те типы системных плат, которые имеют соответствующие разъемы. Появление DIMM стимулировалось использованием процессоров Pentium, имеющих шину данных 64 бит. Необходимое число модулей памяти для заполнения шины называется бан­ком памяти. В случае 64-разрядной шины для этого требуется два 32-битных 72-контактных модуля SIMM или один 64-битный модуль DIMM, имеющий 168 кон­тактов. Модуль DIMM может иметь разрядность 64 бита (без контроля четности), 72 бита (с контролем четности) и 80 бит (память ЕСС). Емкость модулей DIMM: 16, 32, 64,128, 256 и 512 Мбайт. Время обращения, характерное для современных модулей DIMM, работающих на частоте 100 и 133 МГц (модули РС100, РС133), лежит в пределах 6-10 нc.

RIMM (Rambus In line Memory Module) - новейший тип оперативной памяти. Появление памяти Direct Rambus DRAM потребовало нового конструктива для модулей памяти. Микросхемы Direct RDRAM собираются в модули RIMM, внешне подобные стандартным DIMM, что, кстати, и нашло отражение в названии моду­лей нового конструктива. На плате модуля RIMM может быть до 16 микросхем памяти Direct RDRAM, установленных по восемь штук с каждой стороны платы. Модули RIMM могут быть использованы на системных платах с форм-фактором ATX, BIOS и чипсеты которых рассчитаны на использование данного типа памя­ти. Среди микросхем фирмы Intel это чипсеты i820, i840, i850 и их модификации. На системной плате может быть до четырех разъемов под данные модули. Необхо­димо отметить, что модули RIMM требуют интенсивного охлаждения. Это связа­но со значительным энергопотреблением и, соответственно, тепловыделением, что обусловлено высоким быстродействием данных модулей памяти (время обраще­ния 5 не и ниже). Хотя внешне модули RIMM напоминают модули DIMM, они имеют меньшее число контактов и с обеих сторон закрыты специальными металли­ческими экранами, которые защищают модули RIMM, работающие на больших ча­стотах, экранируя их чувствительные электронные схемы от внешних электромаг­нитных наводок. В настоящее время спецификации определяют три типа модулей, отличающихся рабочими частотами и пропускной способностью. Обозначаются они как RIMM PC800, RIMM PC700, RIMM PC600. Наиболее быстродействующими являются модули RIMM PC800, работающие с чипсетом i850, на внешней такто­вой частоте 400 МГц и имеющие пропускную способность 1,6 Гбайт/с. Модули

RIMM PC600 и RIMM PC700 предназначены для работы на повышенных часто­тах шины памяти, например на частоте 133 МГц, поддерживаемой современными чипсетами.

Типы оперативной памяти

Различают следующие типы оперативной памяти:

□ DRDRAM и. д.т.

FPM DRAM

FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM) - динамическая память с быстрым стра­ничным доступом, активно используется с микропроцессорами 80386 и 80486. Память со страничным доступом отличается от обычной динамической памяти тем, что после выбора строки матрицы и удержании RAS допускает многократную ус­тановку адреса столбца, стробируемого CAS. Это позволяет ускорить блочные пе­редачи, когда весь блок данных или его часть находятся внутри одной строки мат­рицы, называемой в этой системе страницей. Существует две разновидности FPM DRAM, отличающиеся временем обращения: 60 и 70 нc. Ввиду своей медлитель­ности они не эффективны в системах с процессорами уровня Pentium II. Модули FPM DRAM в основном выпускались в конструктиве SIMM.

RAM EDO

RAM EDO (EDO - Extended Data Out, расширенное время удержания данных на выходе), фактически представляет собой обычные микросхемы FPM, к которым добавлен набор регистров-«защелок», благодаря чему данные на выходе могут удер­живаться в течение следующего запроса к микросхеме. При страничном обмене такие микросхемы работают в режиме простого конвейера: удерживают на выходе содержимое последней выбранной ячейки, в то время как на их входы уже подает­ся адрес следующей выбираемой ячейки. Это позволяет примерно на 15 % по срав­нению с FPM ускорить процесс считывания последовательных массивов данных. При случайной адресации такая память никакого выигрыша в быстродействии не дает. Память типа RAM EDO имеет минимальное время обращения 45 нc и макси­мальную скорость передачи данных по каналу процессор-память 264 Мбайт/с. Модули RAM EDO выпускались в конструктивах SIMM и DIMM.

BEDO DRAM

BEDO DRAM (Burst Extended Data Output, EDO с блочным доступом). Совре­менные процессоры благодаря внутреннему и внешнему кэшированию команд

и данных обмениваются с основной памятью преимущественно блоками слов мак­симальной длины. Этот вид памяти позволяет читать данные пакетно (блоками), так что данные считываются блоками за один такт. В случае памяти ВЕDО отпа­дает необходимость постоянной подачи последовательных адресов на входы мик­росхем с соблюдением необходимых временных задержек - достаточно строби-ровать переход к очередному слову блока. Этот метод позволяет BEDO DRAM работать очень быстро. Память BEDO DRAM поддерживают некоторые чипсеты фирм VIA Apollo (580VP, 590VP, 680VP) и Intel (i480TX и т. д.) на частоте шины не выше 66 МГц. Активную конкуренцию этому виду памяти составляет память SDRAM, которая постепенно ее и вытесняет. BEDO DRAM представлена модуля­ми и SIMM и DIMM.

SDRAM (Synchronous DRAM - синхронная динамическая память), память с син­хронным доступом, увеличивает производительность системы за счет синхрони­зации скорости работы ОЗУ со скоростью работы шины процессора. SDRAM так­же осуществляет конвейерную обработку информации , выполняется внутреннее разделение массива памяти на два независимых банка, что позволяет совмещать выборку из одного банка с установкой адреса в другом банке. SDRAM также под­держивает блочный обмен. Основная выгода от использования SDRAM состоит в поддержке последовательного доступа в синхронном режиме, где удается исклю­чить дополнительные такты ожидания. Память SDRAM может устойчиво рабо­тать на высоких частотах: выпускаются модули, рассчитанные на работу при час­тотах 100 МГц (спецификация РС100) и 133 МГц (РС133). В начале 2000 года фирма Samsung объявила о выпуске новых чипов SDRAM с рабочей частотой 266 МГц. Время обращения к данным в этой памяти зависит от внутренней такто­вой частоты МП и достигает 5-10 нc, максимальная скорость передачи данных процессор-память при частоте шины 100 МГц составляет 800 Мбайт/с (фактиче­ски равна скорости передачи данных по каналу процессор-кэш). Память SDRAM дает общее увеличение производительности ПК примерно на 25 %. Правда, эта циф­ра относится к работе ПК без кэш-памяти - при наличии мощной кэш выигрыш в производительности может составить всего несколько процентов. SDRAM обыч­но выпускается в 168-контактных модулях типа DIMM. Используется не только в качестве оперативной памяти, но и как память видеоадаптеров, где она полезна при просмотре живого видео и при работе с трехмерной графикой.

DDR SDRAM

DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM - SDRAM 2). Вариант памяти SDRAM, осуществляющий передачу информации по обоим фронтам тактового сигнала. Это позволяет удвоить пропускную способность по сравнению с традиционной памя­тью SDRAM (до 1,6 Гбайт/с при частоте шины 100 МГц). Кроме того, DDR SDRAM может работать на более высокой частоте - в начале 2000 года были выпущены 143, 166 и 183 МГц 64-мегабитные модули DDR SDRAM. Модули DDR DRAM конструктивно совместимы с традиционными 168-контактными DIMM. Исполь-

зуется не только в качестве элементов оперативной памяти, но и в высокопроизво­дительных видеоадаптерах. Сейчас они ориентированы в первую очередь на ры­нок видеоадаптеров.

DRDRAM (Direct Rambus DRAM - динамическая память с прямой шиной для RAM). DRDRAM - перспективный тип оперативной памяти, обеспечивающий зна­чительный рост производительности компьютеров. Высокое быстродействие па­мяти Direct RDRAM достигается рядом особенностей, не встречающихся в других типах. В частности, применением собственной двухбайтовой шины RAM Bus с ча­стотой 800 МГц, обеспечивающей пиковую пропускную способность до 1,6 Гбайт/с. Контроллер памяти Direct RDRAM управляет шиной Rambus и обеспечивает пре­образование ее протокола с частотой 800 МГц в стандартный 64-разрядный интер­фейс с частотой шины до 200 МГц. Фирма Intel выпустила чипсеты i820, i840, i850 с поддержкой. DRDRAM Модули Direct RDRAM - RIMM внешне подобны мо­дулям DIMM. Массовый выпуск памяти DRDRAM и ее интенсивное использова­ние в компьютерах ожидается в ближайшем будущем.

Постоянные запоминающие устройства

Постоянное запоминающее устройство (ПЗУ или ROM - Read Only Memory , па­мять только для чтения) также строится на основе установленных на материн­ской плате модулей (кассет) и используется для хранения неизменяемой инфор­мации: загрузочных программ операционной системы, программ тестирования устройств компьютера и некоторых драйверов базовой системы ввода-вывода (BIOS) и т. д.

К ПЗУ принято относить энергонезависимые постоянные и полупостоянные за­поминающие устройства, из которых оперативно можно только считывать инфор­мацию, запись информации в ПЗУ выполняется вне ПК в лабораторных условиях или при наличии специального программатора и в компьютере. По технологии записи информации можно выделить ПЗУ следующих типов:

□ микросхемы, программируемые только при изготовлении - классические или масочные ПЗУ или ROM;

□ микросхемы, программируемые однократно в лабораторных условиях - про­
граммируемые ПЗУ (ППЗУ) или programmable ROM (PROM);

□ микросхемы, программируемые многократно, - перепрограммируемые ПЗУ
или erasable PROM (EPROM). Среди них следует отметить электрически пе­
репрограммируемые микросхемы EEPROM (Electrical Erasable PROM), в том
числе ФЛЭШ-память (FLASH-память).

Устанавливаемые на системной плате ПК модули и кассеты ПЗУ имеют емкость, как правило, не превышающую 128 Кбайт. Быстродействие у постоянной памяти меньшее, нежели у оперативной, поэтому для повышения производительности содержимое ПЗУ копируется в ОЗУ, и при работе непосредственно используется только эта копия, называемая также теневой памятью ПЗУ (Shadow ROM).

В настоящее время в ПК используются полупостоянные, перепрограммируемые запоминающие устройства - FLASH-память. Модули или карты FLASH-памяти могут устанавливаться прямо в разъемы материнской платы и имеют следующие параметры: емкость от 32 Кбайт до 15 Мбайт (в ПЗУ используется до 128 Кбайт), время обращения по считыванию 0,035-0,2 мкс, время записи одного байта 2-10 мкс; FLASH-память - энергонезависимое запоминающее устройство. Примером такой памяти может служить память NVRAM - Non Volatile RAM со скоростью записи 500 Кбайт/с. Обычно для перезаписи информации необходимо подать на специ­альный вход FLASH-памяти напряжение программирования (12 В), что исклю­чает возможность случайного стирания информации. Перепрограммирование FLASH-памяти может выполняться непосредственно с дискеты или с клавиатуры ПК при наличии специального контроллера либо с внешнего программатора, под­ключаемого к ПК. FLASH-память может быть весьма полезной как для создания весьма быстродействующих, компактных, альтернативных НМД запоминающих устройств - «твердотельных дисков», так и для замены ПЗУ, хранящего програм­мы BIOS, позволяя «прямо с дискеты» обновлять и заменять эти программы на более новые версии при модернизации ПК.

Логическая структура основной памяти

Структурно основная память состоит из миллионов отдельных ячеек памяти, емкостью 1 байт каждая. Общая емкость основной памяти современных ПК обычно лежит в пределах от 16 до 512 Мбайт. Емкость ОЗУ на один-два поряд­ка превышает емкость ПЗУ: ПЗУ занимает 128 Кбайт, остальной объем - это ОЗУ. Каждая ячейка памяти имеет свой уникальный (отличный от всех дру­гих) адрес. Основная память имеет для ОЗУ и ПЗУ - единое адресное про­странство.

Адресное пространство определяет максимально возможное количество непо­средственно адресуемых ячеек основной памяти. Адресное пространство зависит от разрядности адресных шин, ибо максимальное количество разных адресов опре­деляется разнообразием двоичных чисел, которые можно отобразить в п разря­дах, то есть адресное пространство равно 2", где п - разрядность адреса. За осно­ву в ПК взят 16-разрядный адресный код, равный по длине размеру машинного слова. При наличии 16-разрядного кода адреса можно непосредственно адресо­вать всего 4 К (К = 1024) ячеек памяти. Вот это 64-килобайтное поле памяти, так называемый сегмент, также является базовым в логической структу­ре ОП. Следует заметить, что в защищенном режиме размер сегмента может быть иным и значительно превышать 64 Кбайта.

Современные ПК (кроме простейших бытовых компьютеров) имеют основную память, емкостью существенно больше 1 Мбайт: память, емкостью 1 Мбайт явля­ется еще одним важным структурным компонентом ОП - назовем ее непосред­ственно адресуемой памятью (справедливо полностью только для реального ре- жима). Для адресации 1 Мбайт = 220= 1 ячеек непосредственно адресуемой памяти необходим 20-разрядный код, получаемый в ПК путем использования спе­циальных приемов структуризации адресов ячеек ОП.

Абсолютный (полный, физический) адрес (Аабс) формируется в виде суммы не­скольких составляющих, чаще всего используемыми из которых являются: адрес сегмента и адрес смещения.

Адрес сегмента (АССгм) - это начальный адрес 64-килобайтного поля, внутри кото­рого находится адресуемая ячейка.

Адрес смещения (Аасм) - это относительный 16-разрядный адрес ячейки внутри сегмента.

Асегм должен быть 20-разрядным, но если принять условие, что АсеГм должен быть обязательно кратным параграфу (в последних четырех разрядах должен содержать нули), то однозначно определять этот адрес можно 16-разрядным кодом, увеличен­ным в 16 раз, что равносильно дополнению его справа четырьмя нулями и превра­щению его, таким образом, в 20-разрядный код. То есть условно можно записать:

Аабс = 16 Х Асегм + Аасм.

Программисты иногда используют еще две составляющие адреса смещения: адрес базы и адрес индекса. Следует отметить, что процессор ПК может обращаться к ос­новной памяти, используя только абсолютный адрес, в то время как программист может использовать все составляющие адреса, рассмотренные выше.

В современных ПК существует режим виртуальной адресации (Virtual - кажу­щийся, воображаемый). Виртуальная адресация используется для увеличения ад­ресного пространства ПК при наличии ОП большой емкости (простая виртуаль­ная адресация) или при организации виртуальной памяти, в которую наряду с ОП включается и часть внешней (обычно дисковой) памяти. При виртуальной адреса­ции вместо начального адреса сегмента Ассгм в формировании абсолютного адреса Аабе принимает участие многоразрядный адресный код, считываемый из специаль­ных таблиц. Принцип простой виртуальной адресации можно пояснить следую­щим образом. В регистре сегмента (обычно регистр DS) содержится не АсеГм, а не­кий селектор, имеющий структуру:

https://pandia.ru/text/78/135/images/image011_103.gif" width="490 height=2" height="2">Здесь СЛ - вспомогательная служебная информация; F - идентификатор, опре­деляющий тип дескрипторной таблицы для формирования АсеГм (дескрипторные таблицы создаются в ОП при виртуальной адресации автоматически):

□ если F = 0, то используется глобальная дескрипторная таблица (GDT), общая
для всех задач, решаемых в ПК при многопрограммном режиме;

□ если F = 1, то используется локальная дескрипторная таблица (LDT), создава­
емая для каждой задачи отдельно;

□ ИНДЕКС - адрес строки в дескрипторной таблице.

В соответствии с индексом и идентификатором из GLT или LDT считывается 64-битовая строка, содержащая, в частности, и адрес сегмента. Разрядность этого ад­реса зависит от размера адресного пространства микропроцессора, точнее равна разрядности его адресной шины. Подобная виртуальная адресация используется при защищенном режиме работы микропроцессора. Для большей плотности раз-

мещения информации в оперативной памяти (уменьшения сегментированности, характерной для многопрограммного режима) часто используется сегментно-стра- ничная адресация, при которой поля памяти выделяются программам внутри сег­ментов страницами, размером от 2 до 4 Кбайт. Формирование сегментно-странич-ной структуры адресов выполняется автоматически операционной системой.

Виртуальная память создается при недостаточном объеме оперативной памяти, не позволяющем разместить в ней сразу всю необходимую информацию для выпол­няемого задания. При загрузке очередной задачи в оперативную память необходи­мо выполнить распределение машинных ресурсов, в частности оперативной памя­ти между компонентами одновременно решаемых задач (в принципе, оперативной памяти может не хватить и для решения одной сложной задачи). При подготовке программ используются условные адреса, которые должны быть затем привязаны к конкретному месту в памяти. Распределение памяти может выполняться или в статическом режиме до загрузки программы в ОП, или в динамическом режиме автоматически в момент загрузки программы. Статическое распределение памяти весьма трудоемко, поэтому применяется редко. Если очевидно, что реальная па­мять меньше требуемого программой адресного пространства, программист может вручную разбить программу на части, вызываемые в ОП по мере необходимос­ти, - создать оверлейную структуру программы. Обычно же используется режим динамического распределения памяти.

При динамическом распределении памяти в случае недостаточной емкости ОП по­лезно воспользоваться виртуальной памятью. В режиме виртуальной памяти пользо­ватель имеет дело не с физической ОП, действительно имеющейся в ПК, а с виртуаль­ ной (кажущейся) одноуровневой памятью, емкость которой равна всему адресному пространству микропроцессора. На всех этапах подготовки программы, включая ее загрузку в оперативную память, в программе используются виртуальные адреса и лишь при непосредственном исполнении машинной команды выполняется пре­образование виртуальных адресов в реальные физические адреса ОП. При этом ре­ально программа может размещаться частично в ОП, частично во внешней памяти. Технология организации виртуальной памяти следующая. Физические оператив­ная и дисковая (привлеченная к задаче) память и виртуальная память разбивают­ся на страницы одинакового размера по 4 Кбайта. Страницам виртуальной и фи­зической памяти присваиваются номера, которые сохраняются одними и теми же на весь период решения задачи. Операционная система формирует две таблицы:

□ страниц виртуальной памяти;

□ физического размещения страниц,

и устанавливает логические связи между ними (рис. 6.2).

На рисунке видно, что физические страницы могут находиться в текущий момент времени как в оперативной, так и во внешней памяти. Из внешней памяти вирту­альные страницы автоматически перемещаются в оперативную только тогда, ког­да к ним происходит обращение. При этом они замещают уже отработавшие стра­ницы. Страничные таблицы для каждой программы формируются операционной системой в процессе распределения памяти и изменяются каждый раз, когда фи­зические страницы перемещаются из ВЗУ в ОП. Виртуальная память может иметь

и сегментно-страничную организацию. В этом случае виртуальная память делится сначала на сегменты, а внутри них на страницы. Принцип организации такой па­мяти аналогичен рассмотренному выше.

	Таблица страниц физической памяти
Расположена в памяти	№ физической страницы

Рис. 6.2.Таблица страниц